Diode G4S06508HT TO-220F de barrière de Schottky de puissance de carbure de silicium de 650V/ 8A

Nom du produit :

Diode G4S06508HT TO-220F de barrière de Schottky de puissance de carbure de silicium de 650V/ 8A

Description du produit:

Caractéristiques:

• Courant de récupération inverse nul

• Tension de récupération directe nulle

• Comportement de commutation indépendant de la température

• Fonctionnement à haute température

• Fonctionnement haute fréquence

Avantages :

• Redresseur unipolaire

• Pertes de commutation considérablement réduites

• Pas d'emballement thermique avec des appareils parallèles

• Exigences réduites en matière de dissipateur thermique

Applications:

• SMPS, par exemple CCM PFC ;

• Motorisations, application solaire, UPS,

Éolienne, Traction ferroviaire, EV/HEV

Présentation de la diode barrière Schottky en carbure de silicium 650 V/8 A G4S06508HT TO-220F.Cette diode de haute qualité est conçue pour contrôler efficacement l'état marche/arrêt de votre circuit, garantissant ainsi des performances optimales.Avec une tension nominale de 650 V et une intensité nominale de 8 A, cette diode est capable de répondre à des besoins d'alimentation exigeants.Son conditionnement TO-220F permet une installation facile et garantit un fonctionnement fiable.Faites confiance à cette diode de qualité professionnelle pour fournir un contrôle précis et fiable pour les besoins de commutation de votre circuit.

Spécifications du produit:

G4S06508HT.pdf