SiC MOSFET (Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) est un type de MOSFET de puissance qui utilise du carbure de silicium comme matériau semi-conducteur.Les MOSFET SiC sont conçus pour les applications d'électronique de puissance hautes performances, offrant plusieurs avantages par rapport aux MOSFET traditionnels à base de silicium.Ils sont particulièrement bien adaptés aux environnements à haute tension, haute température et haute fréquence.