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G5S12010M
Nom du produit :
Diode de barrière Schottky de puissance en carbure de silicium 1200V/10A G5S12010M TO-220F
Description du produit:
Caractéristiques:
• Courant de récupération inverse nul
• Tension de récupération directe nulle
• Comportement de commutation indépendant de la température
• Fonctionnement à haute température
• Fonctionnement haute fréquence
Avantages:
• Redresseur unipolaire
• Pertes de commutation considérablement réduites
• Pas d'emballement thermique avec des appareils parallèles
• Exigences réduites en matière de dissipateur thermique
Applications:
• SMPS, par exemple CCM PFC ;
• Variateurs de moteur, application solaire, UPS,
Éolienne, Traction ferroviaire, EV/HEV
Présentation de la diode barrière Schottky de puissance en carbure de silicium 1 200 V/10 A G5S12010M TO-220F, une solution de pointe pour contrôler les états des circuits avec la plus grande précision et efficacité.
Conçue avec le plus grand professionnalisme, cette diode haute performance offre une fiabilité et des performances inégalées.Avec une tension nominale de 1 200 V et une capacité de traitement de courant de 10 A, il est conçu pour répondre facilement aux applications les plus exigeantes.
La technologie du carbure de silicium utilisée dans cette diode garantit des capacités de gestion de puissance supérieures, permettant un contrôle transparent des états du circuit.Sa conception Schottky Barrier améliore encore son efficacité en minimisant les chutes de tension et en réduisant la dissipation de puissance.
Le package TO-220F garantit une installation facile et une gestion thermique robuste, permettant des performances optimales même dans des environnements difficiles.Cette diode est conçue pour résister à des températures élevées et fournir des résultats constants sur de longues périodes.
Que vous travailliez sur l'électronique de puissance, l'automatisation industrielle ou les applications d'énergie renouvelable, la diode barrière Schottky de puissance en carbure de silicium 1 200 V/10 A Le G5S12010M TO-220F est le choix parfait.Faites confiance à sa qualité professionnelle et libérez tout le potentiel de vos circuits de contrôle.
Spécifications du produit:
Nom du produit :
Diode de barrière Schottky de puissance en carbure de silicium 1200V/10A G5S12010M TO-220F
Description du produit:
Caractéristiques:
• Courant de récupération inverse nul
• Tension de récupération directe nulle
• Comportement de commutation indépendant de la température
• Fonctionnement à haute température
• Fonctionnement haute fréquence
Avantages:
• Redresseur unipolaire
• Pertes de commutation considérablement réduites
• Pas d'emballement thermique avec des appareils parallèles
• Exigences réduites en matière de dissipateur thermique
Applications:
• SMPS, par exemple CCM PFC ;
• Variateurs de moteur, application solaire, UPS,
Éolienne, Traction ferroviaire, EV/HEV
Présentation de la diode barrière Schottky de puissance en carbure de silicium 1 200 V/10 A G5S12010M TO-220F, une solution de pointe pour contrôler les états des circuits avec la plus grande précision et efficacité.
Conçue avec le plus grand professionnalisme, cette diode haute performance offre une fiabilité et des performances inégalées.Avec une tension nominale de 1 200 V et une capacité de traitement de courant de 10 A, il est conçu pour répondre facilement aux applications les plus exigeantes.
La technologie du carbure de silicium utilisée dans cette diode garantit des capacités de gestion de puissance supérieures, permettant un contrôle transparent des états du circuit.Sa conception Schottky Barrier améliore encore son efficacité en minimisant les chutes de tension et en réduisant la dissipation de puissance.
Le package TO-220F garantit une installation facile et une gestion thermique robuste, permettant des performances optimales même dans des environnements difficiles.Cette diode est conçue pour résister à des températures élevées et fournir des résultats constants sur de longues périodes.
Que vous travailliez sur l'électronique de puissance, l'automatisation industrielle ou les applications d'énergie renouvelable, la diode barrière Schottky de puissance en carbure de silicium 1 200 V/10 A Le G5S12010M TO-220F est le choix parfait.Faites confiance à sa qualité professionnelle et libérez tout le potentiel de vos circuits de contrôle.
Spécifications du produit:
