État de disponibilité: | |
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DGB20N65CTL0
Merry
IGBT discret 650 V 20 A, TO-263, DGB20N65CTL0
Résumé du produit :
- VDS 60V
- JED 350mA
-RDS(ON)(à VGS=10V) <1,0Ω
-RDS(ON)(à VGS=4,5V) <1,4Ω
Description générale :
- Technologie MOSFET MV Trench Power
- Petit interrupteur de signal contrôlé par tension
- Faible capacité d'entrée
- Vitesse de commutation rapide
- Faible fuite d'entrée/sortie
- Sensibilité à l'humidité niveau 1
- L'époxy répond à l'indice d'inflammabilité UL 94 V-0
- Sans halogène
Applications :
- Systèmes fonctionnant sur batterie
- Relais statiques
- Interface de niveau logique directe : TTL/CMOS
Nom1
Nom2
Nom1
Nom2
Nom1
Nom2
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Nom2
IGBT discret 650 V 20 A, TO-263, DGB20N65CTL0
Résumé du produit :
- VDS 60V
- JED 350mA
-RDS(ON)(à VGS=10V) <1,0Ω
-RDS(ON)(à VGS=4,5V) <1,4Ω
Description générale :
- Technologie MOSFET MV Trench Power
- Petit interrupteur de signal contrôlé par tension
- Faible capacité d'entrée
- Vitesse de commutation rapide
- Faible fuite d'entrée/sortie
- Sensibilité à l'humidité niveau 1
- L'époxy répond à l'indice d'inflammabilité UL 94 V-0
- Sans halogène
Applications :
- Systèmes fonctionnant sur batterie
- Relais statiques
- Interface de niveau logique directe : TTL/CMOS
Nom1
Nom2
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