Lonten basse tension canal N 100 V, 107 A, 4,35 mΩ puissance MOSFET LSGN10R042 DFN5 × 6

Nom du produit :

Lonten basse tension canal N 100 V, 107 A, 4,35 mΩ puissance MOSFET LSGN10R042 DFN5 × 6

Description du produit:

Description:

Ces champs de puissance en mode d'amélioration du canal N

les transistors à effet utilisent une tranchée à grille blindée

Technologie DMOS.Cette technologie avancée a

été spécialement conçu pour minimiser les

Résistance, offre des performances de commutation supérieures,

et avec une impulsion à haute énergie dans l'avalanche

et mode de commutation.Ces appareils sont bien

adapté aux applications de commutation rapide à haut rendement.

Caractéristiques:

 100V,107A,RDS(on).max=4,35mΩ@VGS = 10V

 Capacité dv/dt améliorée

 Commutation rapide

 100% EAS Garanti

 Appareil vert disponible

Applications:

 Entraînements moteurs

 UPS

 Convertisseur DC-DC

Détails du produit:

VDSS : 100 V

RDS(on).max VGS=10V 4,35mΩ

ID: 107A

Présentation du MOSFET de puissance canal N basse tension Lonten LSGN10R042 DFN5×6.Ce composant de haute qualité est conçu pour commuter et amplifier efficacement les signaux électroniques dans une variété d'appareils électroniques.Avec une tension nominale de 100 V et une intensité nominale de 107 A, ce MOSFET offre des performances fiables pour vos applications électroniques.Sa faible résistance à l'état passant de 4,35 mΩ garantit une perte de puissance minimale et une efficacité maximale.Améliorez vos conceptions électroniques avec le Lonten Power MOSFET pour des performances et une fiabilité supérieures.

Spécifications du produit:

LONTEN-LSGN10R042.pdf