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MOSFET complémentaire canal N et canal P, DFN3333-8L, YJQ4606B

MOSFET complémentaire à canal N et canal P 30 V/-30 V, 28 A/-20 A
 
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  • YJQ4606B

  • Merry

MOSFET complémentaire canal N et canal P, VDSS : 30/-30 V, ID : 28/-20 A, PD : 27/27 W, caractéristiques, applications, DFN3333-8L, YJQ4606B


Caractéristiques :

NMOS :
-VDS :30V
- JED : 28A
-RDS(ON)(à VGS=10V) :  18 mΩ
-RDS(ON)(à VGS=4,5V) : <30mΩ

PMO :
-VDS : -30V
- JED : -20A
-RDS(ON)(à VGS=-10V) :  40 mΩ
-RDS(ON)(à VGS=-4.5V) : < 60mΩ
-  100 % testé EAS

Description générale  :
- Technologie MOSFET LV Trench Power
-  Conception de cellules haute densité pour un faible RDS(ON)
-  Commutation à grande vitesse
-  Niveau de sensibilité à l'humidité  3
-  L'époxy répond à l'indice d'inflammabilité UL 94 V-0.
-  Sans halogène

Applications  :
-  Chargeur sans fil
-  Interrupteur de charge
-  Gestion de l'alimentation

YJQ4606B

Nom1

1000_F_48893186

Nom2


1000_F_460390235_DKAoH3ELvcr7UgoNEvY6RhQod3WGy88k

Nom1

MF200DU06FJ

Nom2

A9RDA01

Nom1

MF200K04F3LG

Nom2



1000_F_7729663_28CIkxq1Vtz80Q8zUQHmVvkae3SmjH2b

Nom1

MF300U05F6

Nom2

YJQ4606B-1_页面_1

YJQ4606B-1_页面_2

YJQ4606B-1_页面_3


PROFIL DE L'ENTREPRISE-01

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FAQ-01

sur: 
En vertu d'un: 
VDSS : MOSFET 30/-30 V ID : 28/-20A Mosfet YJQ4606B Schottky Diode de redressement en silicium Module IGBT MOSFET en carbure de silicium Pont redresseur Transistor

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