-40 à +85ºC
0,06Ω
0,099Ω
0,18Ω
0,28Ω
0,34Ω
0,38Ω
0,52Ω
0,86Ω
0,87Ω
02200.0-00
05-24-A-0127-A-4-06-4-T
1,1Ω
100 v Faible VF Schottky
100V
107A
10A10G
110A
11A
12,5 ~ 3,12A
1200V
1200V/10A
1200V/20A
12~48
15041358
150W
15A
15MQ060NTR
15SQ045
160X10579X
1700V
175°C
1N5819
1N5819 DO-41
1W
20A
20W
248X20
2x100A
2x30A
2x40A
2x60A
3-15 VCC
310 GBP
33721
3810/6,2X20
39014031
4,35 mΩ
40A
410 GBP
4200VAC ou 6000VDC
430310001
4484FM
5,2 mΩ
5002028
500V
550V
60 v Faible TTB Schottky
600A
650V
65A
70V
74VHC244FTBJ
8,2 mΩ
85V
À-220FT
A9E18032
ABS10
ABS110
AC DC
ACPL-CBK
ADR381ARTZ-REEL7
alimentation diode Schottky
Allumeur Sidac
Amélioration du canal N
Amplificateurs audio de classe D Power IC
Amplificateurs de détection de courant Power IC
AP62200WU-7
applications
bandes de broches
Basse tension
Basse VF Schottky
BHNS
Boîtier : polyvalent
booster la diode de redressement
Boostez le circuit intégré d'alimentation
BRT / paire complémentaire
C128 NOIR
Câble FFC
câbles
Canal N
Canal N et canal N
Canal N et canal P
Canal P
Capacité de courant élevée
Capacité ultra faible
capteur
caractéristiques
Carbure de silicium
carbure de silicium Faible VF Schottky
CC/CC
CEB1310SL
CEF20N65SA
Cellule photovoltaïque
CEM9926
CES2712
CEU6040SL
CEZ3R03
changer
Chargement de la batterie Diode Schottky
CI
CI 50A
CI de puissance
CI de puissance ME6209
CI de puissance pour amplificateurs audio
CI de puissance pour convertisseurs DC-DC
Circuit intégré
Circuit intégré d'alimentation 5 V
Circuit intégré d'alimentation à 7 broches
Circuit intégré d'alimentation AC-DC
Circuit intégré d'alimentation audio
Circuit intégré d'alimentation automobile
Circuit intégré d'alimentation Buck
Circuit intégré d'alimentation Buck-Boost
Circuit intégré d'alimentation MOSFET
Circuit intégré d'alimentation pour l'aérospatiale
Circuit intégré d'alimentation pour systèmes audio
Circuit intégré de puissance à haut rendement
Circuit intégré de puissance IC
Circuit intégré de puissance ME4313
Circuit intégré de puissance ME4313BM6G
Circuit intégré de puissance ME6209A33M3G
Circuit intégré de puissance pour alimentations AC-DC
Circuit intégré de puissance pour le contrôle du moteur
Circuit intégré de puissance pour pilotes de LED
Circuit intégré de puissance pour systèmes UPS
CI : -500 mA
Cj(PF):75
cms
Commutateurs de charge CI de puissance
Commutation rapide
Composants electroniques
condensateur
condensateurs
CONMHF4-SMD-GT
connecteur
connecteurs
connecteurs de signaux
contact
Convertisseur
Convertisseur DC-DC
Coolmos
Courant de fuite Diode Schottky
Courant direct
CTN
cylindrique
D-PAK
D4KB10
Dakota du Sud
Deux redresseurs de puissance ultrarapides
DFN0603-2L
DFN1006-2L
DFN1006-3L
DFN2020-3L
DFN2510
DFN3030-8L
DFN3333-8L
DFN5060-8L
DFN5×6
Diode
Diode à commutation rapide
Diode à montage en surface
Diode au carbure de silicium Schottky
Diode au carbure SIC
Diode barrière
Diode barrière Schottky
Diode barrière Schottky 650 V
Diode barrière Schottky de puissance
Diode barrière Schottky de puissance en carbure de silicium
Diode barrière Schottky en carbure de silicium
Diode de carbure de silicium
Diode de carbure de silicium haute température
Diode de carbure de silicium TD5G08065L
Diode de commutation
Diode de protection
Diode de récupération rapide
Diode de récupération rapide à usage général
Diode de récupération ultra rapide
Diode de récupération ultra-rapide SIC
Diode de redressement à avance axiale
Diode de redressement à bouton de 50 ampères
Diode de redressement à commutation rapide
Diode de redressement à courant élevé
Diode de redressement à cristal
Diode de redressement à grande vitesse
Diode de redressement à haut rendement
Diode de redressement à micro-ondes
Diode de redressement à petit signal
diode de redressement à récupération rapide
Diode de redressement à récupération ultrarapide
Diode de redressement à usage général
Diode de redressement américaine
Diode de redressement automobile
Diode de redressement axiale
Diode de redressement CMS
Diode de redressement de 10 ampères
Diode de redressement de 100 ampères
Diode de redressement de 2 ampères
Diode de redressement de barrière Schottky
Diode de redressement de charge de récupération
Diode de redressement de courant de récupération
Diode de redressement de courant de surtension
Diode de redressement de faible puissance
Diode de redressement de puissance
Diode de redressement de puissance SIC
Diode de redressement demi-onde
Diode de redressement des États-Unis
Diode de redressement double
Diode de redressement du Japon
Diode de redressement du modulateur
Diode de redressement en diamant
Diode de redressement en pont
Diode de redressement en silicium
Diode de redressement GBJ2510
Diode de redressement haute puissance
Diode de redressement miniature
Diode de redressement monophasée
Diode de redressement passivée en verre
Diode de redressement rapide
Diode de redressement RF
Diode de redressement Schottky
Diode de redressement traversante
Diode de redressement triphasée
Diode de redressement ultrarapide
Diode de redresseur à montage en surface
Diode de redresseur d'amplificateur
Diode de redresseur de barrière
Diode de redresseur de dissipation de puissance
Diode de redresseur de jonction de récupération
Diode de redresseur de résistance thermique
Diode haute tension 500kv
Diode redresseur
Diode redresseur 10a
Diode redresseur 1n4007
Diode redresseur 3a
Diode redresseur 48 V
Diode redresseur 5v
Diode redresseur D4KB10
Diode redresseur ES1JA
Diode redresseur haute fréquence
Diode redresseur haute tension
Diode redresseur MB8S
Diode redresseur MBS
Diode redresseur URF2040C
Diode Schottky
Diode Schottky 100 V
Diode Schottky 100a
Diode Schottky 10a
Diode Schottky 12 V
Diode Schottky à avalanche inversée
Diode Schottky à courant direct
Diode Schottky à courant élevé
Diode Schottky à faible bruit
Diode Schottky à faible vf
Diode Schottky à grande vitesse
Diode Schottky à haut rendement
Diode Schottky à haute capacité de courant
Diode Schottky à polarisation inverse
Diode Schottky à récupération ultrarapide
Diode Schottky à très faible capacité
Diode Schottky anti-flux inverse à faible VF
Diode Schottky au carbure de silicium
Diode Schottky automobile
Diode Schottky CC/CC
Diode Schottky CMS
Diode Schottky d'avalanche
Diode Schottky de 1 ampère
Diode Schottky de 10 ampères
Diode Schottky de barrière
Diode Schottky de conversion de puissance
Diode Schottky de courant de récupération
Diode Schottky de rectification
Diode Schottky de serrage de tension
Diode Schottky haute fréquence
Diode Schottky haute puissance
Diode Schottky haute température
Diode Schottky MBR20100CT
Diode Schottky multiplicateur de tension
Diode Schottky nue sic
Diode Schottky passivée en verre
Diode Schottky planaire SIC
Diode Schottky S20T100C
Diode Schottky S30T150C
Diode Schottky SIC
Diode Schottky SiC 1 200 V
Diode Schottky SiC 1 700 V
Diode Schottky SiC 3300 V
Diode Schottky SiC 600 V
Diode Schottky SiC 650 V
Diode Schottky SIC 650 V
Diode Schottky SIC à haute dureté de rayonnement
Diode Schottky SIC à haute efficacité énergétique
Diode Schottky SIC à vitesse de commutation rapide
Diode Schottky SIC en carbure de silicium
Diode Schottky SIC G5S12010M
Diode Schottky SIC haute fiabilité
Diode Schottky SIC pour alimentations sans interruption (UPS)
Diode Schottky SIC pour onduleurs solaires
Diode Schottky SIC TD5G20065H
Diode Schottky traversante
Diode Schottky U30D40C
Diode Schottky ultrarapide
Diode Schottky verticale
Diode Schottky VF ultra-faible anti-flux inverse
Diode semi-conductrice
Diode SMB
Diode solaire
Diode SOT-23
Diode Zener
diodes
Diodes 45V
Diodes en carbure de silicium
Diodes ESD
Diodes Schottky
Diodes suppresseurs de tension transitoire
Diodes TVS
Diodes Zener
DIRIGÉ
DO-201AD(DO-27)
DO-204AL
DO-214AA
DO-214AA (PME)
DO-214AB (SMC)
DO-214AB(SMC)
DO-214AC
DO-214AC (SMA)
DO-214AC(SMA)
Double diode
Douille entretoise vissée
DS1023-2*5S21
E/S 20mA
E/S 30mA
E/S 60mA
E/S : 0,5 A
E/S : 50*2A
E2B-M12LN08-WP-B1 2M
E6
électrolytique
en conserve
Entrée 15mA
ERJ8BWFR015V
ERJ8BWFR050V
Faible courant de fuite inverse
faible ESR
Faible VF
Faible VF Schottky pour le serrage
FAIRE-41
FET
FG18X5R1E106MRT06
fil
Filetage intérieur : M5
FISM : 2A
FISM : 3A
Fonctionnement à haute fréquence
Forfait E6
forte surtension
FR107
FR107 DO-41
FWD
G288-IP67
G3S06004J
G3S06006J
G3S06008J
G3S06504J
G3S06506H
G3S06510A
G3S06516B
G3S06520B
G3S06520P
G3S12010C
G4S06508HT
G5S12005C
G5S12010M
G5S12015PM
G5S12020BM
G5S12020PM
G5S12020PMT
Gagner des transistors
GAS06520P
GBJ
GBJ1506
GBJ1508
GBJ2008
GBJ2506U
GBJ2508
GBJ2510
GBJ3006
GBJ3510
GBL
GBU1008
GBU2510
GBU3510
GBU408
GBU610
gestion de l'énergie Diode Schottky
GF025
GF063P1-B202K
Haute efficacité énergétique Faible VF Schottky
Haute fréquence
Haute température
haute tension
HCA60R040
HCA60R099F
HCD65R320
HCD65R380
HCD80R380
HCS60R099FST
HCS60R190FS
HCS65R210S
HCS65R640ST
HCS80R250S
HCW65R380
HLG-240H-12B
HS100-470RF
HY SEMIHOW LOTEN WAYON SILICONEGEAR SIC DIODES
ID (A) @TA=25ºC:-11,5
ID (A) @TA=25ºC:-4,5
ID (A) @TA=25ºC:18
ID (A) @TA=25ºC:4.5
ID (A) @TA=25ºC:50
ID (A) @TA=25ºC:7
ID 53A
ID 91A
ID(A)@TA=25ºC(Max.): -6
ID(A)@TA=25ºC(Max.): 10
ID(A)@TA=25ºC(Max.): 10,5
ID(A)@TA=25ºC(Max.):-60
ID(A)@TA=25ºC(Max.):3
ID(A)@TA=25ºC(Max.):30
ID(A)@TA=25ºC(Max.):5.8
ID(A)@TA=25ºC(Max.):8
ID: -0,17A
ID: -0,26A
ID: -0,65A
ID: -1,7A
ID: -115A
ID: -70A
ID: 0,34A
ID: 0,3A
ID: 0,7A
ID: 1,4A
ID: 100A
ID: 105A
ID: 10A
ID: 110A
ID: 118A
ID: 11A
ID: 120A
ID: 12A
ID: 130A
ID: 140A
ID: 150A
ID: 15A
ID: 170A
ID: 17A
ID: 180A
ID: 18A
ID: 21A
ID: 240A
ID: 30A
ID: 33A
ID: 56A
ID: 60A
ID: 65A
ID: 6A
ID: 70A
ID: 75A
ID: 80A
ID: 88A
ID: 90A
ID: 99A
ID:-17A
ID:-4A
ID:13A
ID:15A
ID:36A
ID:3A
ID:5.5A
ID:50A
ID:5A
ID:70A
ID:74A
ID:75A
ID:8A
ID : -20A
ID : -25A
ID : -2A
ID : -80A
ID : 0,25 A
ID : 0,2 A
ID : 0,35 A
ID : 0,38 A
ID : 0,5/-0,5A
ID : 0,6 A
ID : 0,8/-0,5A
ID : 1,85 A
ID : 1/-0,9A
ID : 10/-18A
ID : 20/-12AA
ID : 20/-20A
ID : 200A
ID : 24/-18A
ID : 28/-20A
ID : 30/40A
ID : 4,5 A
ID : 4/-3A
ID : 40/-40A
ID : 5,6/-3,7A
ID : 5/-3A
ID : 50/-30A
ID : 50A
ID : 6/-4A
ID : 6/-6A
ID : 7/-5A
ID : 7/-7A
ID : 8/-5A
ID : -1,5 A
ID : -18A
ID : -1A
ID : -6A
ID : 3A
ID : 5A
ID : 8A
IFAV 0,5A
IFAV 1A
IFAV/ITAV=130A
IFAV/ITAV=150A
IFAV/ITAV=160A
IFAV/ITAV=200A
IFSM(A):95
IFSM: 120000A
IFSM: 1300A
IFSM: 150A-300A
IFSM: 200 ~ 400A
IFSM: 200A ~ 360A
IFSM: 20A ~ 40A
IFSM: 2200A
IFSM: 220A
IFSM: 230 ~ 460A
IFSM: 235A
IFSM: 25A
IFSM: 275A
IFSM: 28200A
IFSM: 30 ~ 60A
IFSM: 30A
IFSM: 30A ~ 60A
IFSM: 325A
IFSM: 350A
IFSM: 375A
IFSM: 400A
IFSM: 40A
IFSM: 50A ~ 100A
IFSM: 600A
IFSM: 70000A
IFSM: 700A
IFSM: 70A
IFSM: 7100A
IFSM: 85000A
IFSM: 950A
IFSM : 1A
IFSM : 18A
IGBT
IGBT FWD
IGBT rapide
IH : 0,05 A
inductif
informatique : 50 mA
informatique : 1 mA
Io 20A
Io : 0,7 A
Io : 10A
Io : 120A
Io : 15A
Io : 1A
Io : 2A
Io : 30A
Io : 60A
Io : 8A
Io : 90A
IPP : 105A
IPP : 12A
IPP : 13A
IPP : 15 A
IPP : 205A
IPP : 23A
IPP : 25 A
IPP : 5A
IPP : 5A/12A
IPP : 6A
IPP : 8A
IPP : 9A
IRFR5305TRLPBF
IRLML2402
IRLML2803
IRLML6244TR
IRLML6302
IRLML6401PBF
IRLML9303TR
IRLR120N
ITO-20AB
ITO-220AB
IXTQ60N20T
Jonction de puces en verre passivé
Jonction métal-silicium Faible VF Schottky
JY039-3P (FC68131)
KBP306
KPA-1606SECK
Lampe
Lampe LED orange
LD-BZPN-2730
LE08SN25DPO
len
LGN2W101MELZ30
LNC13N50
LND13N50
LND18N50
LND20N65
Lonten
LS4148
LSB65R099GF
LSB65R180GT
LSD65R280HT
LSG65R380GT
LSGE085R052
LSGG07R082WE
LSGN10R042
MAL215097601E3
mâle
Manchon d'espacement
MBR0520LT1G
MBR20100CT
MBR30100CT
MBRB20200CT
MCL4448
MDP15N075TH
ME4057
ME4057ASPG
ME6203
ME6203A50PG
ME6206
ME6206A33M3G
ME8200
ME8200M6G-N
ME8321
ME8321AS7G
microcontrôleur
MICRONE ST RUICHIPS MOSPEC SEMI Oriental SemiComment
mince simple en ligne
MJD122T4G
MJD45H11
MJD5731T4G
MJE172G
mlcc
MMBD7000
MMBF170
MMBT3904
MMBZ5V6AL
MMSZ5237B
Mode d'amélioration
Mode d'amélioration du canal N
Mode de commutation
Mode de commutation double
module
Module de diodes
Module IGBT
Modules de diodes VRRM
Modules de transistors
Modules thyristors/diodes
Monophasé
Montage en surface
Monté en surface
Mos
Mosfet
MOSFET à super jonction
MOSFET à super jonction à canal N
MOSFET canal N
MOSFET canal P
MOSFET CEF38N65S
MOSFET CEP6044L
MOSFET CEU1310SL
MOSFET de puissance
MOSFET de puissance à super jonction
Mosfet de puissance canal N
Mosfet de puissance de tranchée
MOSFET de puissance en mode d'amélioration
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N
MOSFET de puissance N-ch
MOSFET en carbure de silicium
MOSFET HCS60R150FS
MT130CB-T2
MT150DT-L2
MT160CB-T2
MT200CB-T2
MT200DT-L2
MUR1060
MUR2040
MUR420G
MUR6060P
MUR860
MURA160T3
MURS320T3
NCE6005AS
NCE80TD65BT
NI600B17E6K4 IGBT
NJD35N04G
NTR4501N
OMM120N04TS
Onduleur photovoltaïque
orange
outils
P.B.
P4KE18CA
P600M
P6SMB200A
paire complémentaire
palier
Panne inversée Diode Schottky
Paquet SOD123
Paquet SOD323
Passivé
PD (W) @TA=25ºC : 85
PD: 104W
PD: 113W
PD: 115W
PD: 134W
PD: 15W
PD: 16/27W
PD: 190W
PD: 200 mW
PD: 227W
PD: 27/22W
PD: 27/27W
PD: 30/72W
PD: 300 mW
PD: 34W
PD: 41/31W
PD: 41W
PD: 44W
PD: 52W
PD: 59W
PD: 62W
PD: 69W
PD: 73W
PD: 96W
PDFN3*3-8L
PDFN3030-8L
PDFN5*6-8L
PDFN5060-8L
PD : 0,15 W
PD : 0,25 W
PD : 0,27 W
PD : 0,29/0,27 W
PD : 0,29 W
PD : 0,3/0,3 W
PD : 0,32 W
PD : 0,335 W
PD : 0,35 W
PD : 0,3 W
PD : 0,69 W
PD : 0,7 W
PD : 0,83 W
PD : 0,8 W
PD : 0,96 W
PD : 0,9 W
PD : 1,1/1,25 W
PD : 1,19/1,13 W
PD : 1,25 W
PD : 1,2 W
PD : 1,3 W
PD : 1,5/1,3 W
PD : 1,56/1,38 W
PD : 1,56 W
PD : 1,5 W
PD : 1,78 W
PD : 1,9/2,2 W
PD : 100 W
PD : 108 W
PD : 125 W
PD : 136 W
PD : 152 W
PD : 156 W
PD : 166 W
PD : 17,3/20,8 W
PD : 178 W
PD : 18,9/19,5 W
PD : 1 W
PD : 2/2 W
PD : 200 W
PD : 208 W
PD : 250 W
PD : 260 W
PD : 2 W
PD : 35,7/29,7 W
PD : 35/50 W
PD : 50/54 W
PD : 50 W
PD : 60 W
PD : 62,5 W
PD : 65 W
PD : 70 W
PD : 78 W
PD : 80 W
PD : 83 W
PD : 89 W
Petit signal
Petit transistor de signal
Photovoltaïque
Pilotes de grille CI de puissance
Pilotes de grille isolés Power IC
plage de température Redresseur Diode
Plomb radial
PME
PNP
polycarbonate
polymère de tantale
polypropylène
Pont
pont Diode Schottky
Pont Passivé En Verre
Pont passivé en verre à faible VF
Pont redresseur
Pont redresseur
Pont redresseur à diodes
Pont redresseur à diodes GBU2510
Pont triphasé
Ponts redresseurs
Ponts redresseurs passivés en verre
POS-7
pouvoir
prise
Prise : 1 W
protection de la batterie Diode Schottky
Puissance : 1,5 W
R-6
R463W468050M2K
RCA
RDS (activé) (Ω) @VGS = 10 V (max.): 0,07
RDS (activé) (Ω) @VGS = 10 V (max.): 0,078
RDS (activé) (Ω) @VGS = 10 V (max.): 0,19
RDS (activé) (Ω) @VGS = 10 V (max.): 0,36
RDS (activé) (Ω) @VGS = 10 V (max.): 1,38
RDS (activé) (Ω) @VGS = 10 V (max.): 1,5
RDS (activé) 22 mΩ
RDS (activé) 42 mΩ
RDS(activé) (Ω) @VGS=10V(max.):15
RDS(activé) (Ω) @VGS=10V(max.):90
Rds(on)(mΩ)@Vgs=10V(Max.): 0,5
Rds(on)(mΩ)@Vgs=10V(Max.): 0,8
Rds(on)(mΩ)@Vgs=10V(Max.): 24
Rds(on)(mΩ)@Vgs=10V(Max.):0.61
Rds(on)(mΩ)@Vgs=10V(Max.):8.5
Rds(on)(mΩ)@Vgs=10V(Max.)：34
Rds(on)(mΩ)@Vgs=4,5V(Max.):4,5
Rds(on)(mΩ)@Vgs=4.5V(Max.):110
Rds(on)mΩ@VGS=4,5V(Max.):35
Rds(on)mΩ@VGS=4,5V(Typ.):92
Récupération rapide
Récupération ultra rapide
Redresseur
redresseur à diode Schottky
Redresseur à diodes
Redresseur à diodes 1N4007G
Redresseur à usage général
Redresseur de barrière
Redresseur de barrière Schottky
Redresseur de pont passivé en verre
Redresseur de puissance
Redresseur de puissance à double barrière Schottky
Redresseur de puissance de barrière
Redresseur de silicium
Redresseur Schottky
Redresseur Schottky à montage en surface
Redresseur Schottky à petit signal
Redresseur SOD-123
REDRESSEUR SUPER RAPIDE PASSIVÉ AU POLYIMIDE
Redresseur ultrarapide
Redresseur unipolaire
Redresseurs
Redresseurs à barrière Schottky
Redresseurs au silicium standard de 1,0 A
Redresseurs de barrière
Redresseurs de pont à faible VF
Redresseurs de puissance à barrière
Redresseurs Diode Schottky
Redresseurs ultrarapides
résistance
Résistance : couche épaisse
Résistances
ruban adhésif
S0721510
S30C45C
S30T100C
S30T150C
S40T100C
Sans halogène
Schottky
Schottky rectifie
SD-200D-48
SD1E158M12020PL
semi-conducteur
Semi-conducteur composé faible VF Schottky
SI 0,1A
SI 120mA
SI(A):10
Sic
silicium Faible VF Schottky
SIP/DIP
siroter
SI : 0,07 A
SI : 0,35 A
SI : 1,5 A
SI : 13500A
SI : 16000A
SI : 18000A
SI : 1A
SI : 3A
SI : 5A
SI : 6A
SI : 10A
SMA
SMA-W
SMAF
SMC
SMUN5314DW1T1G
SOD-123FL
SOD-323
SOD-323HE
sondeurs
SONNER
SOP-8
SOP-8L
SOP8
sortie unique
SOT-223-2L
SOT-23
SOT-23-3L
SOT-23-6L
SOT-323
SOT-323L
SOT-363
SOT-523
SOT-723
SOT-89
source de courant
source de référence de tension
Sources d'énergie
SS34
SS510
SS54
SS54L
stéréo
STM32L152RET6
Super Jonction
Super Jonction Canal N
SUPER JONCTION MOSFET DP
Super rapide
SuperJonction
Suppresseur de tension transitoire
symbole Diode de redressement
T520W476M016ATE045
TD5G08065E
TD5G08065M
TD5G08120A
TD5G10065A
TD5G16065D
TD5G20120D
Télécom
température de jonction Diode Schottky
température de stockage Diode de redressement
Tension d'entrée fixe
tension d'entrée maximale de 32 V CC
Tension d'entrée/courant élevé IC de puissance
tension de blocage Diode Schottky
Tension inverse
tester la diode de redressement
THT
Thyristo
Thyristor
TI : 0,12 A
TM2G0040120K
TM2G0080120D
TO-126 Transistors
TO-220
TO-220 Transistors
TO-220AB
TO-220ABTransistors
TO-220AC
TO-220F
TO-220FS
TO-220FSTransistors
TO-220ISO
TO-220ISO-2L
TO-247
TO-247-2L
TO-247AB
TO-247AC
TO-252
TO-252-4L
TO-252AA Mosfet
TO-263
TO-264P
TO-277
TO-3 Transistors
TO-39Transistors
TO-92-1Transistors
TO-92-2 Transistors
TO-92-3 Transistors
TO-92Transistors
TO220F
TO263
transducteur
transducteurs
Transistor
Transistor à canal N
Transistor à commutation rapide
Transistor à courant élevé
Transistor à effet de champ
Transistor à faible bruit
Transistor à gain élevé
Transistor à haut rendement
Transistor à montage en surface
Transistor à super jonction
Transistor à tension précoce
Transistor à tubes électroniques
Transistor à usage général
Transistor basse tension
Transistor bipolaire
Transistor Darlington
Transistor de capacité d'entrée
Transistor de capacité de sortie
Transistor de courant collecteur
Transistor de courant de base
Transistor de courant émetteur
Transistor de dissipation de puissance
Transistor de faible puissance
Transistor de fréquence
Transistor de jonction
Transistor de puissance
transistor de puissance en silicium
Transistor de résistance d'entrée
Transistor de résistance de sortie
Transistor de tension d'émetteur
Transistor de tension de base
Transistor de tension de collecteur
Transistor de tension nominale
Transistor et Mosfet
Transistor haute fréquence
Transistor haute puissance
Transistor Mosfet
Transistor NPN
Transistor PNP
Transistor traversant
Transistor VCE(ON) faible
Transistor VCE(SAT) faible
Transistors à grande vitesse
Transistors CMS
transistors de commutation
Transistors DIP
Transistors encapsulés dans du plastique
Transistors haute température
Transistors haute tension
Transistors HCS80R670S
Transistors numériques
Transistors SOT-143
Transistors SOT-223
Transistors SOT-23
Transistors SOT-23-3
Transistors SOT-23F
Transistors SOT-25
Transistors SOT-323
Transistors SOT-323-3
Transistors SOT-323-5
Transistors SOT-346
Transistors SOT-363
Transistors SOT-523
Transistors SOT-563
Transistors SOT-666
Transistors SOT-89
Transistor : P-MOSFET
U.FL (IPX/AMC)
U30D20C
U30D60C
Ultra-large 85~264VAC et 120~370VDC
Ultra-large 85~305VAC et 100~430VDC
Unidirectionnel
unipolaire
UPW2A102MHD
Valeurs nominales maximales du transistor
VBR : 7,5 V/13,3 V.
VBR(min) : 10,5 V
VBR(min) : 19 V
VBR(min) : 25 V
VBR(min) : 3,5 V
VBR(min) : 3,8 V
VBR(min) : 6,1 V
VBR(min) : 6,4 V
VBR(min) : 6 V
VBR : 13,3/7,5 V
VBR : 6 V
VBR : 7 V
VCC : 100 V
VCC : 1600 V
VCC : 1 000 V
VCC : 20 ~ 40 V
VCC : 20 V
VCC : 2 200 V
VCC : 50 ~ 1 000 V
VCC : 80 ~ 100 V
VCE 650V
VDRM=800 à 1800V
VDS 1200V
VDS(V) : -30
VDS(V) : 600
VDS(V) : 650
VDS(V) : 800
VDS(V) : 900
VDS(V):-30
VDS(V):-60
VDS(V):20
VDS(V):30
VDS(V):60
VDS(V):600
VDS(V):800
VDS(V):900
VDS:-20V
VDS:1000V
VDS:250V
VDS:600V
VDS:650V
VDS:800V
VDS:900V
VDSS : -100 V
VDSS : -19 V
VDSS : -20 V
VDSS : -30 V
VDSS : -60 V
VDSS : 100/-100 V
VDSS : 100 V
VDSS : 110 V
VDSS : 120 V
VDSS : 150 V
VDSS : 20/-20 V
VDSS : 20 V
VDSS : 250 V
VDSS : 30/-30 V
VDSS : 30 V
VDSS : 40/-40 V
VDSS : 40 V
VDSS : 50 V
VDSS : 60/-60 V
VDSS : 600 V
VDSS : 60 V
VDSS : 650 V
VDSS : 800 V
VDSS : 80 V
VDSS : 85 V
VDSS : 900 V
VDS : -100 V
VDS : -60 V
VDS : 200 V
VDS : 650 V
VDS : 700 V
VDS : 800 V
VDS : 85 V
VDS : 900 V
Ventilateur : CC
vérification de la diode de redressement
Verre Passivé
VF 0,45V
VF 0,6V
VF(V) typ.:1.38
VF(V) typ.:1.4
VF: 1,2 V
VF: 1,5 V
VF : 0,9 V
VGS (V) : -1,6
VGS (V):-1,5
VGS (V):30
Vgs Max (V): ± 20
Vgs Max(V): ±20
Vgs Max(V): ±20
VGS(e)(V)(Max.) : 3,3
VGS(e)(V)(Max.):-2,5
VGS(e)(V)(Typ.):0,65
VGS(th) (V) (Typ.):3
VGS(th) (V) (Typ.):3.3
VGS(th) (V) (Typ.):3.5
VGS(th) (V) (Typ.):4
VGS(th)(V)(Max.):-3
VGS(th)(V)(Max.):1.4
VGS(th)(V)(Max.):2.5
VGS(th)(V)(Max.):53
VGS(th)(V)(Min.): 3
VGS(th)(V)(Min.):-1
VGS(th)(V)(Min.):-1,7
VGS(th)(V)(Min.):0.7
VGS(th)(V)(Min.):30
VGS(th)(V)(Typ.):-1,5
VGS(th)(V)(Typ.):-3
VGS:2V
VGS : 2 V
VGS : 30 V
VGS : -0,35 V
VGS : 3 V
Vis
Vitesse de commutation rapide Faible VF Schottky
Vmax : 265 V
VRM 50V
VRMS : 300 V-450 V
VRMS : 700 V
VRM : 1 600 V
VRM : 800/-100 V
VRRM 1000V
VRRM 200 V ~ 400 V
VRRM 20V
VRRM 30V
VRRM 40V
VRRM 45V
VRRM 50V ~ 1000V
VRRM : 1 000 V VRMS : 700 V
VRRM : 1 600 V VRMS : 1 120 V
VRRM : 100 V VRMS : 70 V
VRRM : 20 V VRMS : 14 V
VRRM : 20~40 V VRMS : 14~28 V
VRRM : 50 ~ 1 000 V VRMS : 35 ~ 7 000 V
VRRM : 50 ~ 1 000 V VRMS : 35 ~ 700 V
VRRM : 50 ~ 600 V VRMS : 35 ~ 420 V
VRRM : 80 ~ 100 V VRMS : 56 ~ 70 V
VRRM(V):1200
VRRM/VDRM=800 à 1800V
VRRM : 1 200 V ~ 1 600 V
VRRM : 1 500 V
VRRM : 200 V ~ 1 300 V
VRRM : 200 V ~ 400 V
VRRM : 2 000 V
VRRM : 50 V ~ 1 000 V
VRRM : 650 V
VRRM : 1 600 V
VRRM : 2 200 V
VRSM=900V à 1900V
VRSM : 300 ~ 450 V
VRWM : 12/7 V
VRWM : 17 V
VRWM : 18 V
VRWM : 2,8 V
VRWM : 24 V
VRWM : 3,3 V
VRWM : 5 V
VRWM : 7 V/12 V
VRWM : 10 V
VR : 20 ~ 40 V
VR : 20 V
VR : 40 ~ 60 V
VR : 40 V
VS-10MQ040-M3/5AT
VZ: 15,6 V
VZ: 3,3 V
VZ:100V
VZ:11V
W1
W2
W3
W4
W5
WMB080N10LG2
WMJ80N65C4
WMK053N10HGS
WMK080N10LG2
WML15N70C4
WML90R1K5S
WMLL065N15HG2
WMM023N08HGS
WMQ098N06LG2
YBS6
Zéro courant de récupération inverse
Français