FrançaisFrançais
products-bg
Maison » Des produits » Module » Module de commutation » Pont triphasé + Thyristor VRRM/VDRM=800 à 1800 V VRSM=900 V à 1900 V IFAV/ITAV=200A pour applications MT200DT-L2

loading

Pont triphasé + Thyristor VRRM/VDRM=800 à 1800 V VRSM=900 V à 1900 V IFAV/ITAV=200A pour applications MT200DT-L2

État de disponibilité:
enquête Ajouter au panier

facebook sharing button
twitter sharing button
line sharing button
wechat sharing button
linkedin sharing button
pinterest sharing button
whatsapp sharing button
sharethis sharing button

  • MT200DT-L2

  • Merry

sur: 
En vertu d'un: 
Pont triphasé Thyristor VRRM/VDRM=800 à 1800V VRSM=900V à 1900V IFAV/ITAV=200A Diode haute tension 500kv caractéristiques Diode de récupération rapide MT200DT-L2

Produits connexes

Pont triphasé + Thyristor VRRM/VDRM=800 à 1800 V VRSM=900 V à 1900 V IFAV/ITAV=150A pour applications MT150DT-L2
Pont triphasé + Thyristor VRRM/VDRM=800 à 1800 V VRSM=900 V à 1900 V IFAV/ITAV=150A pour applications MT150DT-L2
Module / interrupteur à bouton-poussoir / 250VAC / 20A / pour montage sur rail DIN / A9E18032
Module / interrupteur à bouton-poussoir / 250VAC / 20A / pour montage sur rail DIN / A9E18032
Modules IGBT 1 200 V/600 A, 2 en un seul boîtier, boîtier à faible inductance Caractéristiques Applications GD600HFX120C6SAD
Modules IGBT 1 200 V/600 A, 2 en un seul boîtier, boîtier à faible inductance Caractéristiques Applications GD600HFX120C6SAD
Modules IGBT Faible inductance Capacité élevée de court-circuit (10us) IC 100A VCES 1200V Caractéristiques Applications MG100HF12TLC1
Modules IGBT Faible inductance Capacité élevée de court-circuit (10us) IC 100A VCES 1200V Caractéristiques Applications MG100HF12TLC1
Modules IGBT boîtier à faible inductance faibles pertes de commutation IC 50A VCES 650V caractéristiques Applications MG50P065P3
Modules IGBT boîtier à faible inductance faibles pertes de commutation IC 50A VCES 650V caractéristiques Applications MG50P065P3
Arrêt de champ de tranchée II rapide IGBT TO-247 NCE80TD65BT 650V 80A
Arrêt de champ de tranchée II rapide IGBT TO-247 NCE80TD65BT 650V 80A
IGBT VCE-650V IC-15A VCE(SAT) IC=15A 1,60 V pour applications Coefficient de température positif DGB15N65CTL0
IGBT VCE-650V IC-15A VCE(SAT) IC = 15A 1,60 V pour applications Coefficient de température positif DGB15N65CTL0
Module IGBT 1 700 V 600 A, boîtier E6, avec FWD NI600B17E6K4
Module IGBT 1 700 V 600 A, boîtier E6, avec FWD NI600B17E6K4
Module IGBT 1 200 V 600 A, boîtier E6, avec FWD NI600B12E6K4_D2
Module IGBT 1 200 V 600 A, boîtier E6, avec FWD NI600B12E6K4_D2
Module IGBT 1 200 V 450 A, boîtier A3 NI450TN12A3F5
Module IGBT 1 200 V 450 A, boîtier A3 NI450TN12A3F5
Module IGBT 1 700 V 450 A, boîtier E6, avec FWD NI450B17E6K4
Module IGBT 1 700 V 450 A, boîtier E6, avec FWD NI450B17E6K4
Module IGBT 1 200 V 450 A, boîtier E6, avec FWD et NTC NI450B12E6K4 E6
Module IGBT 1 200 V 450 A, boîtier E6, avec FWD et NTC NI450B12E6K4 E6
Technologie Trench FS 650V 40A IGBT WGD40J65T1 TO-247
Technologie Trench FS 650V 40A IGBT WGD40J65T1 TO-247

Contactez-nous

Étage 3, bloc, 5 Number.2 Waltai Road, district de Wanjiang, ville de Dongguan, province du Guangdong, Chine

E-mail: jennie@merryelc.com

Tél : +86-0769-21665206

Téléphone : +86-13549368780

Liens rapides

Catégorie de produit

Entrer en contact

Étage 3, bloc, 5 Number.2 Waltai Road, district de Wanjiang, ville de Dongguan, province du Guangdong, Chine
Téléphone : +86-13549368780
Tél : +86-0769-21665206
E-mail: jennie@merryelc.com
Contactez-nous
droits d'auteur 2023 Dongguan Merry Electronic Co., Ltd. | Sitemap |Soutenu par Leadong | politique de confidentialité