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Arrêt de champ de tranchée II rapide IGBT TO-247 NCE80TD65BT 650V 80A

Arrêt de champ de tranchée II rapide IGBT TO-247 NCE80TD65BT 650V 80A
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  • NCE80TD65BT

Description générale:
Utilisant la conception de tranchée exclusive de NCE et la technologie avancée FS (Field Stop) de deuxième génération, l'IGBT Trench FSII 650 V offre des performances de conduction et de commutation supérieures et un fonctionnement parallèle facile ;

Caractéristiques
Offre technologique Trench FSII
VCE(sat) très faible
Commutation à grande vitesse
Coefficient de température positif en VCE(sat)
Répartition très serrée des paramètres
Haute robustesse, comportement stable en température

Application
Climatisation
Onduleurs
Entraînements à moteur


NCE80TD65BT.pdf


NCE80TD65BT_页面_01NCE80TD65BT_页面_02NCE80TD65BT_页面_03NCE80TD65BT_页面_07NCE80TD65BT_页面_05NCE80TD65BT_页面_06NCE80TD65BT_页面_08NCE80TD65BT_页面_09

sur: 
En vertu d'un: 
IGBT rapide Module IGBT Transistor NCE80TD65BT TO-247

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