Français 
MCL4448
Caractéristiques
Diode planaire épitaxiale au silicium
Diodes à commutation rapide Dissipation de puissance de 500 mW
Cette diode est également disponible dans le boîtier DO-35 avec la désignation de type 1N4448, dans le boîtier Minimelf avec la désignation de type DL4448.
Finition sans plomb/conforme Rohs (Remarque 1)('P'Le suffixe désigneCompliant..Voir les informations de commande)
Notes maximales
Température de fonctionnement : -55 °C à +150 °C
Température de stockage : -55 °C à +150 °C
Résistance thermique maximale, 350 K/jonction à l'ambiante
L'époxy répond à l'indice d'inflammabilité UL 94 V-0, niveau de sensibilité à l'humidité 1
Caractéristiques
Diode planaire épitaxiale au silicium
Diodes à commutation rapide Dissipation de puissance de 500 mW
Cette diode est également disponible dans le boîtier DO-35 avec la désignation de type 1N4448, dans le boîtier Minimelf avec la désignation de type DL4448.
Finition sans plomb/conforme Rohs (Remarque 1)('P'Le suffixe désigneCompliant..Voir les informations de commande)
Notes maximales
Température de fonctionnement : -55 °C à +150 °C
Température de stockage : -55 °C à +150 °C
Résistance thermique maximale, 350 K/jonction à l'ambiante
L'époxy répond à l'indice d'inflammabilité UL 94 V-0, niveau de sensibilité à l'humidité 1
