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Maison » Des produits » Diode de carbure de silicium » MOSFET SIC » 1200 V / 600A / 2,8MΩ / 18V Module MOSFET SIC, HPD, ASC600N1200HPD

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1200 V / 600A / 2,8MΩ / 18V Module MOSFET SIC, HPD, ASC600N1200HPD

MOSFET 1200 V
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  • ASC600N1200HPD

  • Merry

1200 V / 600A / 2,8MΩ / 18V MOSFET SIC MOSFET, HPD, ASC600N1200HPD

CARACTènes  :
- Fonctionnement de
la DC 4200 V
queue à
haute
température ,
Humidité
et
-  polaris

Applications :
-  Active les systèmes compacts, légers et efficaces
- Installation de l'environnement extérieur dur
- atténue la protection contre la tension
- Exigences thermiques réduites -
Nom

ASC600N1200HPDdu coût du système réduit1

1000_F_48893186

Nom2


K7B-A5

Nom1

1000_F_460390235_DKAOH3ELVCR7UGONVY6RHQOD3WGY88K

Nom2

GD560HTX75P7HN

Nom1

MG25P12E1

Nom2


produits-1

Nom1

Gd660hfa75n5hy_b29

Nom2

ASC600N1200HPD-1_ 页面 _1

ASC600N1200HPD-1_ 页面 _2

ASC600N1200HPD-1_ 页面 _3

Profil de l'entreprise-01

En_Merry Catalogue_16-9_ 页面 _01

En_Merry Catalogue_16-9_ 页面 _02

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En_Merry Catalogue_16-9_ 页面 _09

En_Merry Catalogue_16-9_ 页面 _10

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
MOSFET 1200 V MOSFET 600A / 18V HPD MOSFET ASC600N1200HPD MOSFET Diode de récupération rapide Redresseur

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