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Maison » Des produits » Diode de carbure de silicium » MOSFET SIC » 1200 V / 800A / 2,2MΩ / 18V Module MOSFET SIC, DCS12, ASC800N1200DCS12

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1200 V / 800A / 2,2MΩ / 18V Module MOSFET SIC, DCS12, ASC800N1200DCS12

MOSFET 1200 V
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  • ASC800N1200DCS12

  • Merry

1200 V / 800A / 2,2MΩ / 18V MOSFET SIC MOSFET, DCS12, ASC800N1200DCS12

Caractéristiques  :
- Fonctionnement à haute température, humidité et biais
- Perte ultra faible <5NH
- Fonctionnement à haute fréquence
- Fonctionnement de la dérision de l'application parallélicole
- Fonctionnement
de la facilité de parallèle - APPLICATION DE PARALLAGE DE PARALLAGE - APPLICATION DE SILICONION NITRON NITRONADE INPECONSURATION APPLICATION PARALLILING -
CU BASEPLATE-BASEPLATE et SILICONON NITRION INSUMENTATION

INSULTATION DU NITRIPA :
-  Active les systèmes compacts, légers et efficaces
- Installation de l'environnement extérieur dur
- atténue la protection de surtension
- Exigences thermiques réduites
-

ASC800N1200DCS12Nom du coût du système réduit1

1000_F_48893186

Nom2


K7B-A5

Nom1

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Nom2

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Nom1

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Nom2


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Nom1

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ASC800N1200DCS12-1_ 页面 _2

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Profil de l'entreprise-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
MOSFET 1200 V MOSFET 800A / 18V MOSFET DCS12 ASC800N1200DCS12 MOSFET Diode de récupération rapide Redresseur

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