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1000v / 200a 3-niveau en un package IGBT, F6, GD200TFS100F6S

1000v / 200a 3-niveau en un package igbt
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  • GD200TFS100F6S

  • Merry

1000V / 200A 3-niveau en un package IGBT, F6, GD200TFS100F6S
Package: F6
COURANT COUVÉ: 200A
Type de puce: Trench-FS Gen1
Tension nominale: 1000V
Structure du circuit: Boost
Hallmar K: substrats plats


Caractéristiques  :
-  Faible V CE (SAT) TRANCH TECHNOLOGIE IGBT
- V CE (SAT) avec coefficient de température positive
- Température de jonction maximale 175 o C
- Fast & Soft Reverse Recovery Anti-Parallel FWD
- Plate de base en cuivre isolée en utilisant la technologie DBC

Applications typiques  : System-application
-  à 3 niveaux
-  d'énergie solaire
-  Systèmes UPS-Application UPS Systems UPS Systems Syloque à 3 niveaux de niveau UPS de niveau UPS de niveau à 3 lete


GD200TFS100F6SNom1

1000_F_48893186

Nom2


K7B-A5

Nom1

1000_F_460390235_DKAOH3ELVCR7UGONVY6RHQOD3WGY88K

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Profil de l'entreprise-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
IGBT Trench-FS Gen1 1 000 V/200 A GD200TFS100F6S IGBT IGBT F6 BOOSTER Diode de récupération rapide Redresseur

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