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Transistor à effet de champ en mode d'amélioration du canal N 60 V 0,35 A, SOT-523, 2N7002BE

Transistor à effet de champ en mode d'amélioration du canal N 60 V 0,35 A
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  • 2N7002BDW

  • Merry

Transistor à effet de champ en mode d'amélioration du canal N 60 V 0,35 A, SOT-523, 2N7002BE

Résumé du produit  :
-  VDS  60V
- JED 350mA
-RDS(ON)(à VGS=10V) <1000mΩ
-RDS(ON)(à VGS=4,5V) <1400mΩ

Description générale  :
-  Technologie MOSFET MV Trench Power
- Petit interrupteur de signal contrôlé par tension
- Faible capacité d'entrée
-  Vitesse de commutation rapide
-  Faible fuite d'entrée/sortie
-  Sensibilité à l'humidité niveau 1
- L'époxy répond à l'indice d'inflammabilité UL 94 V-0
- Sans halogène

Applications  :
-  Systèmes fonctionnant sur batterie
- Relais statiques
-  Interface de niveau logique directe : TTL/CMOS


2N7002BENom1

1000_F_48893186

Nom2


K7B-A5

Nom1

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Nom2

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PROFIL DE L'ENTREPRISE-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
Transistors 60V 0,35A Transistors SOT-523 Transistors 2N7002BE Diode haute tension 500kv Diode de récupération rapide MT200DT-L2

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