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Maison » Des produits » Diode de carbure de silicium » MOSFET SIC » 1200 V MOSFET N-Channel, 160mΩ / 20A / 15V, à 263-7, ASC20N1200MT7PB

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1200 V MOSFET N-Channel, 160mΩ / 20A / 15V, à 263-7, ASC20N1200MT7PB

MOSFET 1200 V
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MOSFET 1200 V N-canal, 160mΩ / 20a / 15v, à 263-7, ASC20N1200MT7PB
Le carbure de silicium (SIC) MOSFET utilise une technologie complètement nouvelle qui offre  des performances de commutation supérieures et une fiabilité plus élevée par rapport au silicium. De plus, la faible résistance et  la taille compacte des puces assurent une faible capacité et une charge de porte. Par conséquent, les avantages du système comprennent  une efficacité la plus élevée, une fréquence de fonctionnement plus rapide, une densité de puissance accrue, une EMI réduite et  une taille du système réduite.

Caractéristiques  :
-  Commutation à grande vitesse avec faible capacité - Tension de blocage élevée avec
package à faible impédance
-  RDS (ON)
avec broche de source de pilote
- Facile à parallèle et simple à conduire

- ROHS, applications sans halogène
-  :
charge EV CHARGE
- MODULES DE
CORRECTION DE CORRECTION

ASC20N1200MT7PBDC HAUTE

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K7B-A5

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Profil de l'entreprise-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
MOSFET 1200 V MOSFET 20A / 15V À 263-7 MOSFET ASC20N1200MT7PB MOSFET Diode de récupération rapide Redresseur

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