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1200 V MOSFET N-Channel, 45mΩ / 60A / 18V, à 247-3, ASC60N1200MT3

MOSFET 1200 V
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  • ASC60N1200MT3

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MOSFET 1200V N-Channel, 45mΩ / 60a / 18v, à 247-3, ASC60N1200MT3
Le MOSFET en carbure de silicium (SIC) utilise une technologie complètement nouvelle qui offre  des performances de commutation supérieures et une fiabilité plus élevée par rapport au silicium. De plus, la faible résistance et  la taille compacte des puces assurent une faible capacité et une charge de porte. Par conséquent, les avantages du système comprennent  une efficacité la plus élevée, une fréquence de fonctionnement plus rapide, une densité de puissance accrue, une EMI réduite et  une taille du système réduite.

Caractéristiques  :
-  Commutation à grande vitesse avec faibles capacités
- Tension de blocage élevée avec RDS faible (ON)
- Facile à parallèle et simple à conduire - ROHS
APPLICATIONS

sans halogène :
-  EV Motor Drive
- Convertisseurs DC / DC à haute tension
- Alimentation du mode commutateur
- Invertisseurs solaires
- Nom de charge EV

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Profil de l'entreprise-01

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FAQ-01


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En vertu d'un: 
MOSFET 1200 V MOSFET 60A / 18V À 247-3 MOSFET ASC60N1200MT3 MOSFET Diode de récupération rapide Redresseur

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