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Maison » Des produits » Diode de carbure de silicium » MOSFET SIC » 1200V, 100A / 15V, 20mΩ, MOSFET SIC-Channel, à 247-4, ASC100N1200MT4PB

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1200V, 100A / 15V, 20mΩ, MOSFET SIC-Channel, à 247-4, ASC100N1200MT4PB

MOSFET 1200 V
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  • ASC100N1200MT4PB

  • Merry

1200V, 100A / 15V, 20mΩ, MOSFET SIC N-canal, à 247-4, ASC100N1200MT4PB Le MOSFET en carbure de silicium (SIC) utilise une toute nouvelle technologie qui offre  des performances de commutation supérieures et une fiabilité plus élevée par rapport au silicium. De plus, la faible résistance et  la taille compacte des puces assurent une faible capacité et une charge de porte. Par conséquent, les avantages du système comprennent  une efficacité la plus élevée, une fréquence de fonctionnement plus rapide, une densité de puissance accrue, une EMI réduite et
une taille du système réduite.

Caractéristiques  :
- Commutation à grande vitesse avec faibles capacités
- Tension de blocage élevée avec
-  package RDS faible (ON) avec broche de source de pilote séparée
-
Facile à parallèle et simple à conduire

- ROHS, applications sans halogène
-  : Drive du
moteur
EV -
CONVERTEURS
DC

ASC100N1200MT4PB/ CC HAUTE

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K7B-A5

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Profil de l'entreprise-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
MOSFET 1200 V 100A / 15V MOSFET À 247-4 MOSFET ASC100N1200MT4PB MOSFET Diode de récupération rapide Redresseur

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