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1200V / 150A NPT PLANAR IGBT, C8, GD150HFU120C8SD

1200V / 150A NPT planaire IGBT
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  • GD150HFU120C8SD

  • Merry

1200V / 150A NPT PLANAR IGBT, C8, GD150HFU120C8SD
: C8 COURANT COURANT
: 150A
Type de puce: Planar NPT IGBT
Tension nominale: 1200V
Circuit Structure: Half Bridge
Hallmar K:  Soupstrats plats


Caractéristiques  :
-  Basque Ve (SAT) Tenching IgBT Technology
- Bas inductance Case
- 10 μs Capacité de court-circuit
- V CE (SAT) avec coefficient de température positive
- Température de jonction maximale 150 o C
- Fast & Soft Reverse Anti-Parallel FWD
- Copper isolé en cuivre isolé Plate de base à l'aide de la technologie DBC

Applications typiques  :
-  onduleur pour lecteur de moteur
- Amplificateur DC Servro Drive
- Alimentation sans interruption

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Profil de l'entreprise-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
1200V / 150A NPT planaire IGBT GD150HFU120C8SD IGBT C8 igbt Demi-pont Diode de récupération rapide Redresseur

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