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Maison » Des produits » Diode de carbure de silicium » MOSFET SIC » 1200V / 2,83mΩ SIC MOSFET, N4, MD29HFC120N4HFY

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1200V / 2,83mΩ SIC MOSFET, N4, MD29HFC120N4HFY

1200 V / 2,83MΩ MOSFET SIC
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  • MD29HFC120N4HFY

  • Merry

1200V / 2,83MΩ SIC MOSFET, N4, MD29HFC120N4HFY
Paquet: N4
COURANT COMPRISE: -
Type de puce:
Tension nominale SIC:
Structure du circuit 1200 V: Half Bridge
Hallmark: Moulage par injection, Substrats de Pinfin


Caractéristiques  :
-  SIC Power MOSFET
- Tension de blocage élevée avec faible R DS
(ON)
-
Facile 3à parallèle et simple à 4 conduire
- Véhicule hybride et électrique

Bas  d'
-  inductance
Bas
- onduleur pour lecteur de moteur

MD29HFC120N4HFYNom1

1000_F_48893186

Nom2


K7B-A5

Nom1

1000_F_460390235_DKAOH3ELVCR7UGONVY6RHQOD3WGY88K

Nom2

GD560HTX75P7HN

Nom1

MG25P12E1

Nom2


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Nom1

Gd660hfa75n5hy_b29

Nom2

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Profil de l'entreprise-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
1200 V / 2,83MΩ MOSFET SIC MD29HFC120N4HFY SIC MOSFET N4 sic mosfet Demi-pont Diode de récupération rapide Redresseur

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