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1200V / 8,86 MΩ SIC MOSFET, T6, DM88C12T6

1200 V / 8,86 MΩ SIC MOSFET
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  • DM88C12T6

  • Merry

1200V / 8.86 MΩ SIC MOSFET, T6, DM88C12T6
Paquet: T6
Courant nominal: -
Type de puce:
Tension nominale SIC:
Circuit 1200V Structure: Malentissement
CALLAGE: Moulage d'injection


Caractéristiques  :
-  SIC Power MOSFET
- Low R DS (ON)
- Chip Sintering Technology
- Low Inductance Case Eviter Oscillations
- Crotte thermique isolée à l'aide de la technologie SI 3N 4 AMB
-  ROHS

Applications typiques  :
-  APPLICATION AUTOMOTIVE
- HYBRIDE ET VÉHICULE ÉLECTRIQUE
- Onduleur pour lecteur moteur

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Profil de l'entreprise-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
1200 V / 8,86mΩ mosfet sic DM88C12T6 SIC MOSFET T6 sic mosfet Monophasé Diode de récupération rapide Redresseur

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