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1200V / 800A IGBT TRENCH-FS GEN3, C6.1, GD800HFA120C6SD

1200V / 800A IGBT TRENCH-FS GEN3
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  • GD800HFA120C6SD

  • Merry

1200V / 800A IGBT TRENCH-FS GEN3, C6.1, GD800HFA120C6SD
: C6.1
Courant nominal: 800A
Type de puce: Trench-FS Gen3
Tension nominale: 1200V
Circuit Structure: Half Bridge
Hallmar K:  Flat Substrats


Caractéristiques  :
-  Faible V CE (SAT) Tentuch Igbt Technology
- Capacité de court-circuit
- V CE (SAT) avec coefficient de température positive
- Température de jonction maximale 175 O C
- Cas d'inductance faible
- Récupération inverse rapide et douce FWD anti-parallèle
- Plate de base en cuivre isolée Utilisation

des applications typiques de la technologie DBC  :
-  Véhicule hybride et électrique
-inintertre pour lecteur de moteur
- Alimentation sans interruption

GD800HFA120C6SDName1

1000_F_48893186

Nom2


K7B-A5

Nom1

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Nom2

GD560HTX75P7HN

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Gd660hfa75n5hy_b29

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Profil de l'entreprise-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
1200V / 800A IGBT TRENCH-FS GEN3 GD800HFA120C6SD IGBT C6.1 IGBT Demi-pont Diode de récupération rapide Redresseur

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