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ASC100N1200MT4
Merry
MOSFET 1200V N-canal, 16mΩ / 100a / 18v, à 247-4, ASC100N1200MT4
Le MOSFET en carbure de silicium (SIC) utilise une technologie complètement nouvelle qui offre des performances de commutation supérieures et une fiabilité plus élevée par rapport au silicium. De plus, la faible résistance et la taille compacte des puces assurent une faible capacité et une charge de porte. Par conséquent, les avantages du système comprennent une efficacité la plus élevée, une fréquence de fonctionnement plus rapide, une densité de puissance accrue, une EMI réduite et une taille du système réduite.
Caractéristiques :
- commutation à haute vitesse avec faible capacité
- Tension de blocage élevée avec RDS faible (ON)
- Package optimisé avec broche de source de pilote séparée
- Facile à parallèle et simple à conduire
- ROHS,
APPLICATIONS SANS HALOGENS :
- EV Motor Drive
- Haute tension DC / CC Convertres
-
Mode de commutation Alimentation
du mode
Salon
Nom2
Nom1
Nom2
Nom1
Nom2
Nom1
Nom2
MOSFET 1200V N-canal, 16mΩ / 100a / 18v, à 247-4, ASC100N1200MT4
Le MOSFET en carbure de silicium (SIC) utilise une technologie complètement nouvelle qui offre des performances de commutation supérieures et une fiabilité plus élevée par rapport au silicium. De plus, la faible résistance et la taille compacte des puces assurent une faible capacité et une charge de porte. Par conséquent, les avantages du système comprennent une efficacité la plus élevée, une fréquence de fonctionnement plus rapide, une densité de puissance accrue, une EMI réduite et une taille du système réduite.
Caractéristiques :
- commutation à haute vitesse avec faible capacité
- Tension de blocage élevée avec RDS faible (ON)
- Package optimisé avec broche de source de pilote séparée
- Facile à parallèle et simple à conduire
- ROHS,
APPLICATIONS SANS HALOGENS :
- EV Motor Drive
- Haute tension DC / CC Convertres
-
Mode de commutation Alimentation
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Salon
Nom2
Nom1
Nom2
Nom1
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