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1200V MOSFET N-Channel, 80mΩ / 30a / 18v, à 263-7, ASC30N1200MT7

MOSFET 1200 V
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  • ASC30N1200MT7

  • Merry

MOSFET 1200V N-Channel, 80mΩ / 30a / 18v, à 263-7, ASC30N1200MT7
Le MOSFET en carbure de silicium (SIC) utilise une toute nouvelle technologie qui offre  des performances de commutation supérieures et une fiabilité plus élevée par rapport au silicium. De plus, la faible résistance et  la taille compacte des puces assurent une faible capacité et une charge de porte. Par conséquent, les avantages du système comprennent  une efficacité la plus élevée, une fréquence de fonctionnement plus rapide, une densité de puissance accrue, une EMI réduite et  une taille du système réduite.

Caractéristiques  :
-  Commutation à grande vitesse avec faibles capacités
- Tension de blocage élevée avec
-  package RDS faible (ON) avec broche de source de pilote séparée
-
Facile à parallèle et simple à conduire

- ROHS, applications sans halogène
-  :
charge EV - Modules de correction
du
facteur de puissance

ASC30N1200MT7Nom 1

1000_F_48893186

Nom2


K7B-A5

Nom1

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Nom2

GD560HTX75P7HN

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Nom1

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Profil de l'entreprise-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
MOSFET 1200 V MOSFET 30A / 18V À 263-7 MOSFET ASC30N1200MT7 MOSFET Diode de récupération rapide Redresseur

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