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Maison » Des produits » Diode de carbure de silicium » MOSFET SIC » 1200v / 17mΩ sic MOSFET DISCRET, T2, DM170S12TDRB

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1200v / 17mΩ sic MOSFET DISCRET, T2, DM170S12TDRB

1200 V / 17mΩ SIC MOSFET DISCRET
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  • DM170S12TDRB

  • Merry

1200V / 17mΩ SIC MOSFET DISCRET, T2, DM170S12TDRB
Package: T2
Courant nominal: -
Type de puce:
Tension nominale SIC:
Circuit 1200V Structure: Imposition monophasé
: TO-247PLUS-4L


Caractéristiques  :
-  SIC Power MOSFET
- Low R DS (ON)
- Chip Sintering Technology
- Faible Inductance Case éviter les oscillations
- ROH

APPLICATIONS TYPIQUES  :
-  APPLICATION AUTOMOTIVE
- Véhicule hybride et électrique
- onduleur pour lecteur de moteur

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Nom2


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Profil de l'entreprise-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
Module MOSFET SIC 1200 V / 17mΩ DM170S12TDRB SIC MOSFET DISCRET T2 SIC MOSFET DISCRET Monophasé Diode de récupération rapide Redresseur

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