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1700 V MOSFET N-Channel, 750mΩ / 5A / 12V, à 247-3, ASC5N1700MT3PB

1700V MOSFET N-Channel
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  • ASC5N1700MT3PB

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MOSFET N-Channel 1700V, 750mΩ / 5a / 12v, à 247-3, ASC5N1700MT3PB
Le carbure de silicium (SIC) MOSFET utilise une technologie complètement nouvelle qui offre  des performances de commutation supérieures et une fiabilité plus élevée par rapport au silicium. De plus, la faible résistance et  la taille compacte des puces assurent une faible capacité et une charge de porte. Par conséquent, les avantages du système comprennent  une efficacité la plus élevée, une fréquence de fonctionnement plus rapide, une densité de puissance accrue, une EMI réduite et  une taille du système réduite.

Caractéristiques  :
-  Commutation à grande vitesse avec faible capacité
- Technologie AST avec lecteur de porte 12V
- Capacités de Q G et périphérique inférieures (COSS, CRSS)
- Diode corporelle avec VF faible et QRR faible
-
Commutateur

plus rapide
-  et plus efficace
- du couvert1
Oneurtre
central
-
PLACE
COMPOSITION

ASC5N1700MT3PBNom

1000_F_48893186

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K7B-A5

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Nom2

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Profil de l'entreprise-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
1700V MOSFET N-Channel MOSFET 5A / 12V À 247-3 MOSFET ASC5N1700MT3PB MOSFET Diode de récupération rapide Redresseur

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