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1700 V MOSFET N-Channel, 750mΩ / 5A / 12V, à 263-7, ASC5N1700MT7PB

1700V MOSFET N-Channel
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  • ASC5N1700MT7PB

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MOSFET N-Channel 1700V, 750mΩ / 5a / 12v, à 263-7, ASC5N1700MT7PB
Le carbure de silicium (SIC) MOSFET utilise une technologie complètement nouvelle qui offre  des performances de commutation supérieures et une fiabilité plus élevée par rapport au silicium. De plus, la faible résistance et  la taille compacte des puces assurent une faible capacité et une charge de porte. Par conséquent, les avantages du système comprennent  une efficacité la plus élevée, une fréquence de fonctionnement plus rapide, une densité de puissance accrue, une EMI réduite et  une taille du système réduite.

Caractéristiques  :
-  Commutation à grande vitesse avec faible capacité
- technologie AST avec entraînement de porte 12V
- QG inférieur et capacités de dispositif (COSS, CRSS)
- Diode corporelle avec VF faible et QRR faible - Commutateur
plus rapide
et

plus efficace -
-  Oneurtre
central
- PLUS
D'ELECTRATION
DU MODE
-POWER
HALOGE du couvert1

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Profil de l'entreprise-01

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FAQ-01


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En vertu d'un: 
1700V MOSFET N-Channel MOSFET 5A / 12V À 263-7 MOSFET ASC5N1700MT7PB MOSFET Diode de récupération rapide Redresseur

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