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1700V / 1200A IGBT TRENCH-FS GEN1, C3, GD1200HFX170C3S

1700v / 1200a igbt tranch-fs Gen1
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  • GD1200HFX170C3S

  • Merry

1700V / 1200A IGBT TRENCH-FS GEN1, C3, GD1200HFX170C3S
Package: C3
Couré de notes: 1200A
Type de puce: Trench-FS Gen1
Tension nominale: 1700V
Circuit Structure: Half Bridge
Hallmar K:  Substrates plats


Caractéristiques  :
-  Faible V CE (SAT) Tentuch Igbt Technology
- 10 μs Capacité de court-circuit
- V CE (SAT) avec coefficient de température positive
- Température de jonction maximale 175 O C
- Cas d'inductance faible
- Récupération inverse rapide et douce FWD anti-parallèle
- cuivre isolé Plate de base à l'aide de la technologie DBC

Applications typiques  :
-  Convertisseurs à haute puissance
- Drives de moteur
- Éoliennes

GD1200HFX170C3SNom1

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K7B-A5

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Profil de l'entreprise-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
1700v / 1200a igbt tranch-fs Gen1 GD1200HFX170C3S IGBT C3 igbt Demi-pont Diode de récupération rapide Redresseur

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