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650V / 10A TRENCH-FS IGBT FS GEN1, L4, GD10FSX65L4SN

650v / 10a igbt tranch-fs Gen1
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  • GD10FSX65L4SN

  • Merry

650V / 10A IGBT TRENCH-FS GEN1, L4, GD10FSX65L4SN
Paquet: L4
COURANT COURANT: 10A
Type de puce: Trench-FS Gen1
Tension nominale: 650V
Structure du circuit: Sixpack
Hallmar K:  


Caractéristiques  :
-  Faible V CE (SAT) Tentuch Igbt Technology
- Faible perte de commutation
- 6 μs Capacité de court-circuit
- V CE (SAT) avec coefficient de température positive
- Température de jonction maximale 175 O C
- Fast & Soft Recovery Anti-Parallel FWD
- dissipation thermique isolée Utilisation de la technologie DBC

Applications typiques  :
-  onduleur pour lecteur de moteur
- amplificateur AC et DC Servo Drive
- Alimentation sans interruption

GD10FSX65L4SNName1

1000_F_48893186

Nom2


K7B-A5

Nom1

1000_F_460390235_DKAOH3ELVCR7UGONVY6RHQOD3WGY88K

Nom2

GD560HTX75P7HN

Nom1

MG25P12E1

Nom2


produits-1

Nom1

Gd660hfa75n5hy_b29

Nom2

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Gd10fsx65l4sn-1_ 页面 _2

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Profil de l'entreprise-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
IGBT Trench-FS Gen1 650 V/10 A GD10FSX65L4SN IGBT L4 igbt Pack de six Diode de récupération rapide Redresseur

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