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Maison » Des produits » Diode de carbure de silicium » MOSFET SIC » 650V MOSFET N-Channel, 12MΩ / 100A / 18V, à 247-3, ASC100N650MT3

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650V MOSFET N-Channel, 12MΩ / 100A / 18V, à 247-3, ASC100N650MT3

650V MOSFET N-Channel
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  • ASC100N650MT3

  • Merry

MOSFET 650V N-Channel, 320MΩ / 8A / 12V, PDFN8 * 8, ASR320N650MD88
Le MOSFET en carbure de silicium (SIC) utilise une technologie complètement nouvelle qui offre  des performances de commutation supérieures et une fiabilité plus élevée par rapport au silicium. De plus, la faible résistance et  la taille compacte des puces assurent une faible capacité et une charge de porte. Par conséquent, les avantages du système comprennent  une efficacité la plus élevée, une fréquence de fonctionnement plus rapide, une densité de puissance accrue, une EMI réduite et  une taille du système réduite.

Caractéristiques  :
-  Commutation à grande vitesse avec faibles capacités
- Tension de blocage élevée avec RDS faible (ON)
- Facile à parallèle et simple à conduire - ROHS
APPLICATIONS

sans halogène :
-  Charge EV
- Convertisseurs DC / CC
- Mode de commutation Alimentation
- Modules de correction du facteur de puissance
- invertisseurs PV solaires

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Profil de l'entreprise-01

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650V MOSFET N-Channel 100A / 18V MOSFET À 247-3 MOSFET ASC100N650MT3 MOSFET Diode de récupération rapide Redresseur

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