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650V MOSFET N-Channel, 320MΩ / 8A / 12V, PDFN8 * 8, ASR320N650MD88

650V MOSFET N-Channel
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MOSFET 650V N-Channel, 320MΩ / 8A / 12V, PDFN8 * 8, ASR320N650MD88
Le MOSFET en carbure de silicium (SIC) utilise une technologie complètement nouvelle qui offre  des performances de commutation supérieures et une fiabilité plus élevée par rapport au silicium. De plus, la faible résistance et  la taille compacte des puces assurent une faible capacité et une charge de porte. Par conséquent, les avantages du système comprennent  une efficacité la plus élevée, une fréquence de fonctionnement plus rapide, une densité de puissance accrue, une EMI réduite et  une taille du système réduite.

Caractéristiques  :
-  Perte de commutation extrêmement basse
- Tension de blocage élevée avec RDS faible (ON)
- Excellente stabilité et uniformité
- Facile à parallèle et simple à conduire
- ROHS,

APPLICATIONS SANS HALOGENS :
-  PC-PC
- Chargeur EV
- Éclairage LED
- Power / Télécom Power
- Invertisseurs PV solaires / UPS

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650V MOSFET N-Channel MOSFET 8A / 12V Pdfn8 * 8 MOSFET ASR320N650MD88 MOSFET Diode de récupération rapide Redresseur

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