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650V MOSFET N-Channel, 38MΩ / 60A / 18V, à 247-3, ASC60N650MT3

650V MOSFET N-Channel
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  • ASC60N650MT3

  • Merry

MOSFET 650V N-Channel, 38MΩ / 60A / 18V, à 247-3, ASC60N650MT3
Le MOSFET en carbure de silicium (SIC) utilise une technologie complètement nouvelle qui offre  des performances de commutation supérieures et une fiabilité plus élevée par rapport au silicium. De plus, la faible résistance et  la taille compacte des puces assurent une faible capacité et une charge de porte. Par conséquent, les avantages du système comprennent  une efficacité la plus élevée, une fréquence de fonctionnement plus rapide, une densité de puissance accrue, une EMI réduite et  une taille du système réduite.

Caractéristiques  :
-  Commutation à grande vitesse avec faibles capacités
- Tension de blocage élevée avec RDS faible (ON)
- Facile à parallèle et simple à conduire
- ROHS,

APPLICATIONS SANS HALOGENS :
-  Charge EV
- convertisseurs DC / DC
- Mode de commutation Alimentation
- UPS
- Invertisseurs PV solaires

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Profil de l'entreprise-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
650V MOSFET N-Channel MOSFET 60A / 18V À 263-7 MOSFET ASC60N650MT3 MOSFET Diode de récupération rapide Redresseur

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