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IGBT 1 200 V/200 A avec diode monophasée Trench-FS Gen1, T6, DG200X12T6B

IGBT 1 200 V/200 A avec diode monophasée Trench-FS Gen1
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  • DG200X12T6B

  • Merry

IGBT 1 200 V/200 A avec diode monophasée Trench-FS Gen1, T6, DG200X12T6B
Paquet: T6
Courant nominal: 200A
Type de puce : Trench-FS Gen1
Tension nominale: 1200 V
Structure du circuit : T6
Poinçon : moulage par injection

Caractéristiques  :
-  Faible VCE(samedi) Technologie IGBT en tranchée
-  Faibles pertes de commutation
-VCE(samedi) avec coefficient de température positif
- Température maximale de jonction 175oC
- FWD anti-parallèle à récupération inverse rapide et douce
- Dissipateur thermique isolé utilisant Si3N4 Technologie AMB
-  Forfait sans plomb

Applications typiques  :
-  Onduleur pour entraînement moteur
- Amplificateur de servomoteur AC et DC
- Alimentation sans interruption


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PROFIL DE L'ENTREPRISE-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
IGBT Trench-FS Gen1 1 200 V/200 A avec diode IGBT DG200X12T6B avec diode IGBT T6 avec diode Monophasé Diode de récupération rapide Redresseur

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