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IGBT Trench-FS Gen1, 1 700 V/1 200 A, A3, GD1200SGX170A3S

IGBT Trench-FS Gen1 1 700 V/1 200 A
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  • GD1200SGX170A3S

  • Merry

IGBT Trench-FS Gen1 1 700 V/1 200 A, A3, GD1200SGX170A3S
Paquet: A3
Courant nominal: 1200A
Type de puce : Trench-FS Gen1
Tension nominale: 1700 V
Structure du circuit : monophasé
Poinçon : substrats plats

Caractéristiques  :
-  Faible VCE(samedi) Technologie IGBT en tranchée
- Capacité de court-circuit de 10 μs
-VCE(samedi) avec coefficient de température positif
-Boîtier à faible inductance
- FWD anti-parallèle à récupération inverse rapide et douce
- Plaque de base AlSiC pour une capacité élevée de cyclage de puissance
- Substrat AlN pour une faible résistance thermique

Applications typiques  :
-  Variateurs AC
- Alimentations à découpage
- Soudeurs électroniques

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PROFIL DE L'ENTREPRISE-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
IGBT Trench-FS Gen1 1 700 V/1 200 A GD1200SGX170A3S IGBT IGBT A3 Monophasé Diode de récupération rapide Redresseur

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