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IGBT Trench-FS Gen1 1 200 V/100 A, C1, GD100HFQ120C1SD

IGBT Trench-FS Gen1 1 200 V/100 A
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  • GD100HFQ120C1SD

  • Merry

IGBT Trench-FS Gen1 1 200 V/100 A, C1, GD100HFQ120C1SD
Paquet: C1
Courant nominal: 100A
Type de puce :Tranchée-FS Gen1
Tension nominale : 1200 V.
Structure du Circuit : demi-pont
Poinçon : substrats plats

Caractéristiques  :
-  Faible VCE(samedi) Technologie IGBT à tranchée
- Capacité de court-circuit de 10 μs
-VCE(samedi) avec coefficient de température positif
- Température maximale de jonction 175°C
- Boîtier à faible inductance
- FWD anti-parallèle à récupération inverse rapide et douce
- Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications typiques  :
-  Alimentation à découpage
- Chauffage inductif
- Soudeuse électronique

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PROFIL DE L'ENTREPRISE-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
IGBT Trench-FS Gen1, 1 200 V, 100 A IGBT GD100HFQ120C1SD IGBT C1 Demi-pont Diode de récupération rapide Redresseur

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