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IGBT Trench-FS Gen1 650 V/20 A, F1, GD20PWX65F1S_B22

IGBT Trench-FS Gen1 650 V/20 A
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  • GD20PWX65F1S_B22

  • Merry

IGBT Trench-FS Gen1 650 V/20 A, F1, GD20PWX65F1S_B22
Paquet: F1
Courant nominal: 120A
Type de puce : Trench-FS Gen1
Tension nominale : 650 V
Structure du circuit : PIM
Poinçonner:-

Caractéristiques  :
-  Faible VCE(samedi) Technologie IGBT en tranchée
- Capacité de court-circuit de 6 μs
-VCE(samedi) avec coefficient de température positif
- Température maximale de jonction 175oC
- Boîtier à faible inductance
- FWD anti-parallèle à récupération inverse rapide et douce
- Dissipateur thermique isolé utilisant la technologie DBC
-  Matériau à changement de phase pré-appliqué

Applications typiques  :
-  Onduleur pour entraînement moteur
- Amplificateur de servomoteur AC et DC
- Alimentation sans interruption

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PROFIL DE L'ENTREPRISE-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
IGBT Trench-FS Gen1 650 V/20 A GD20PWX65F1S_B22 IGBT IGBT F1 PIM Diode de récupération rapide Redresseur

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