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IGBT Trench-FS Gen1 750 V/950 A, P6, GD950HTX75P6HLBT

IGBT Trench-FS Gen1 750 V/950 A
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  • GD950HTX75P6HLBT

  • Merry

IGBT Trench-FS Gen1 750 V/950 A, P6, GD950HTX75P6HLBT
Paquet: P6
Courant nominal: 950A
Type de puce : Trench-FS Gen1
Tension nominale : 750 V.
Structure du circuit : Pack de six
Poinçon : bornes longues, substrats PINFIN

Caractéristiques  :
-  Faible VCE(samedi) Technologie IGBT à tranchée
- Faibles pertes de commutation
- Capacité de court-circuit de 6 μs
-VCE(samedi) avec coefficient de température positif
- Température maximale de jonction 175oC
- Boîtier à faible inductance
- FWD anti-parallèle à récupération inverse rapide et douce
- Plaque de base pinfin en cuivre isolée utilisant Si3N4 Technologie AMB

Applications typiques  :
-  Application automobile
- Véhicule hybride et électrique
- Inverseur pour entraînement moteur

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PROFIL DE L'ENTREPRISE-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
IGBT Trench-FS Gen1 750 V/950 A IGBT GD950HTX75P6HLBT IGBT P6 Pack de six Diode de récupération rapide Redresseur

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