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IGBT Trench-FS Gen1 PIM 650 V/75 A, C5, GD75PIX65C5SN

IGBT PIM Trench-FS Gen1 650 V/75 A
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  • GD75PIX65C5SN

  • Merry

IGBT Trench-FS Gen1 PIM 650 V/75 A, C5, GD75PIX65C5SN
Paquet: C5
Courant nominal: 75A
Type de puce : Trench-FS Gen1
Tension nominale : 650 V
Structure du circuit : PIM
Poinçon : substrats plats

Caractéristiques  :
-  Faible VCE(samedi) Technologie IGBT en tranchée
- Capacité de court-circuit de 6 μs
-VCE(samedi) avec coefficient de température positif
- Température maximale de jonction 175oC
- Boîtier à faible inductance
- FWD anti-parallèle à récupération inverse rapide et douce
- Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications typiques  :
-  Onduleur pour entraînement moteur
- Amplificateur de servomoteur AC et DC
- Alimentation sans interruption

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PROFIL DE L'ENTREPRISE-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
IGBT PIM Trench-FS Gen1 650 V/75 A IGBT GD75PIX65C5SN IGBT C5 PIM Diode de récupération rapide Redresseur

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