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IGBT Trench-FS Gen2 750 V/660 A, P6, GD660HTA75P6S

IGBT Trench-FS Gen2 750 V/660 A
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  • GD660HTA75P6S

  • Merry

IGBT Trench-FS Gen2 750 V/660 A, P6, GD660HTA75P6S
Paquet: P6
Courant nominal: 660A
Type de puce : Trench-FS Gen2
Tension nominale : 750 V.
Structure du circuit : Pack de six
Poinçon : substrats plats

Caractéristiques  :
-  Faible VCE(samedi) Technologie IGBT en tranchée
- Faibles pertes de commutation
- Capacité de court-circuit de 6 μs
-VCE(samedi) avec coefficient de température positif
- Température maximale de jonction 175oC
- Boîtier à faible inductance
- FWD anti-parallèle à récupération inverse rapide et douce
- Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications typiques  :
-  Application automobile
- Véhicule hybride et électrique
- Inverseur pour entraînement moteur

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PROFIL DE L'ENTREPRISE-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
IGBT Trench-FS Gen2 750 V/660 A GD660HTA75P6S IGBT IGBT P6 Pack de six Diode de récupération rapide Redresseur

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