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IGBT planaire NPT 1 200 V/50 A, C1, GD50HFU120C1SD

IGBT planaire NPT 1 200 V/50 A
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  • GD50HFU120C1SD

  • Merry

IGBT planaire NPT 1 200 V/50 A, C1, GD50HFU120C1SD
Paquet: C1
Courant nominal: 50A
Type de puce : IGBT planaire NPT
Tension nominale : 1200 V.
Structure du Circuit : demi-pont
Poinçon : substrats plats


Caractéristiques  :
-  Technologie IGBT NPT
- Capacité de court-circuit de 10 μs
- Faibles pertes de commutation
-VCE(samedi) avec coefficient de température positif
- Boîtier à faible inductance
- FWD anti-parallèle à récupération inverse rapide et douce
- Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications typiques  :
-  Alimentation à découpage
- Chauffage inductif
- Soudeuse électronique

GD50HFU120C1SDNom1

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Nom2


K7B-A5

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PROFIL DE L'ENTREPRISE-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
IGBT planaire NPT 1 200 V 50 A IGBT GD50HFU120C1SD IGBT C1 Demi-pont Diode de récupération rapide Redresseur

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