Maison » Des produits » Transistor » MOSFET à superjonction (Coolmos) » MOSFET à super jonction canal N 650 V HCD65R320 D-PAK

loading

MOSFET à super jonction canal N 650 V HCD65R320 D-PAK

MOSFET à super jonction canal N 650 V HCD65R320 D-PAK
État de disponibilité:
facebook sharing button
twitter sharing button
line sharing button
wechat sharing button
linkedin sharing button
pinterest sharing button
whatsapp sharing button
sharethis sharing button
  • HCD65R320

  • Semihow

Nom du produit :

MOSFET à super jonction canal N 650 V HCD65R320 D-PAK


Description du produit:

Caractéristiques:

• FOM très faible (RDS(on) X Qg )  

• Perte de commutation extrêmement faible

• Excellente stabilité et uniformité  

• 100 % testé contre les avalanches  

• Diode ESD intégrée  

Application:

• Alimentation à découpage (SMPS)  

• Alimentation sans coupure (UPS)  

• Correction du facteur de puissance (PFC)  

• Alimentation du téléviseur et alimentation de l'éclairage LED  

• Convertisseurs CA vers CC  

• Télécom


Présentation du MOSFET à super jonction à canal N 650 V HCD65R320 D-PAK, une solution hautement efficace et fiable pour la commutation et l'amplification de signaux électroniques.Conçu avec la plus grande précision et une technologie de pointe, ce MOSFET offre des performances et une polyvalence exceptionnelles.

Avec une tension nominale de 650 V, ce MOSFET à super jonction à canal N est capable de gérer facilement les applications haute puissance.Que vous ayez besoin de commuter des signaux électroniques ou de les amplifier, ce produit est conçu pour fournir des résultats exceptionnels.

Le MOSFET D-PAK HCD65R320 offre une efficacité supérieure, garantissant une perte de puissance minimale pendant le fonctionnement.Cela améliore non seulement les performances globales, mais contribue également aux économies d'énergie, ce qui en fait un choix idéal pour diverses applications électroniques.

Conçu avec la plus grande attention aux détails, ce MOSFET garantit des performances fiables et stables même dans des environnements exigeants.Sa conception robuste et ses capacités de gestion thermique exceptionnelles garantissent un fonctionnement optimal, évitant la surchauffe et prolongeant la durée de vie de vos appareils électroniques.

De plus, ce produit est soutenu par notre engagement envers la qualité et la fiabilité.Chaque MOSFET est soumis à des tests rigoureux et adhère aux normes industrielles strictes, garantissant des performances constantes et une durabilité à long terme.

En résumé, le MOSFET à super jonction canal N 650 V HCD65R320 D-PAK est le choix ultime pour les professionnels à la recherche d'une solution hautes performances pour la commutation et l'amplification de signaux électroniques.Avec ses caractéristiques exceptionnelles et sa fiabilité inébranlable, ce produit saura répondre et dépasser vos attentes.


Spécifications du produit:

SemiHow-HCD65R320.pdf

SemiHow-HCD65R320_页面_1SemiHow-HCD65R320_页面_2SemiHow-HCD65R320_页面_3SemiHow-HCD65R320_页面_4SemiHow-HCD65R320_页面_5SemiHow-HCD65R320_页面_6SemiHow-HCD65R320_页面_7


sur: 
En vertu d'un: 

Contactez-nous

Étage 3, bloc, 5 Number.2 Waltai Road, district de Wanjiang, ville de Dongguan, province du Guangdong, Chine

E-mail: jennie@merryelc.com

Tél : +86-0769-21665206

Téléphone : +86-13549368780

Entrer en contact

Étage 3, bloc, 5 Number.2 Waltai Road, district de Wanjiang, ville de Dongguan, province du Guangdong, Chine
Téléphone : +86-13549368780
Tél : +86-0769-21665206
E-mail: jennie@merryelc.com
Contactez-nous
droits d'auteur 2023 Dongguan Merry Electronic Co., Ltd. | Sitemap |Soutenu par Leadong | politique de confidentialité