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LSB65R180GT
Nom du produit :
MOSFET de puissance haute tension canal N 650 V, 20 A, 0,18 Ω LSB65R180GT
Description du produit:
Description:
LonFETTM Power MOSFET est fabriqué
utilisant la technologie avancée de super jonction.
Le dispositif résultant a un niveau d'énergie extrêmement faible
résistance, ce qui le rend particulièrement adapté pour
applications qui nécessitent une puissance supérieure
densité et efficacité exceptionnelle.
Caractéristiques:
RDS ultra faible (activé)
Charge de grille ultra faible (typ. Qg = 39nC)
100 % testé par l'ISU
Conforme RoHS
Applications:
Correction de faction de puissance (PFC).
Alimentations à découpage (SMPS).
Alimentation sans coupure (UPS).
Détails du produit:
VDS Tj,max : 700 V
RDS (activé), maximum : 0,18 Ω
IDM : 60 A
Qg, type : 39nC
Présentation du MOSFET de puissance haute tension canal N 650 V, 20 A, 0,18 Ω LSB65R180GT, une solution de pointe conçue pour répondre aux exigences exigeantes des appareils électroniques.
Ce MOSFET de qualité professionnelle est spécialement conçu pour commuter et amplifier les signaux électroniques, ce qui en fait un choix idéal pour une large gamme d'applications.Avec une tension nominale de 650 V et une capacité de gestion du courant de 20 A, ce MOSFET de puissance offre des performances et une fiabilité exceptionnelles.
Doté d'une faible résistance à l'état passant de 0,18 Ω, le LSB65R180GT assure un transfert de puissance efficace et minimise les pertes de puissance, ce qui améliore l'efficacité globale du système.Ce MOSFET est conçu pour résister à des conditions de tension et de courant élevées, ce qui le rend adapté aux appareils électroniques de haute puissance.
Avec sa conception avancée et sa construction robuste, ce MOSFET de puissance garantit des performances de commutation exceptionnelles, permettant un fonctionnement transparent dans divers circuits électroniques.Que vous ayez besoin de contrôler une commutation à grande vitesse ou d'amplifier des signaux électroniques, le LSB65R180GT est le choix parfait.
En plus de ses spécifications techniques impressionnantes, ce MOSFET est également conçu dans un souci de durabilité.Il est conçu pour durer, garantissant une fiabilité à long terme, même dans des environnements exigeants.
Faites confiance au MOSFET de puissance haute tension canal N 650 V, 20 A, 0,18 Ω LSB65R180GT pour offrir des performances, une fiabilité et une efficacité exceptionnelles pour tous vos besoins de commutation et d'amplification dans les appareils électroniques.Investissez dans cette solution de qualité professionnelle et élevez vos conceptions électroniques vers de nouveaux sommets.
Spécifications du produit:
Nom du produit :
MOSFET de puissance haute tension canal N 650 V, 20 A, 0,18 Ω LSB65R180GT
Description du produit:
Description:
LonFETTM Power MOSFET est fabriqué
utilisant la technologie avancée de super jonction.
Le dispositif résultant a un niveau d'énergie extrêmement faible
résistance, ce qui le rend particulièrement adapté pour
applications qui nécessitent une puissance supérieure
densité et efficacité exceptionnelle.
Caractéristiques:
RDS ultra faible (activé)
Charge de grille ultra faible (typ. Qg = 39nC)
100 % testé par l'ISU
Conforme RoHS
Applications:
Correction de faction de puissance (PFC).
Alimentations à découpage (SMPS).
Alimentation sans coupure (UPS).
Détails du produit:
VDS Tj,max : 700 V
RDS (activé), maximum : 0,18 Ω
IDM : 60 A
Qg, type : 39nC
Présentation du MOSFET de puissance haute tension canal N 650 V, 20 A, 0,18 Ω LSB65R180GT, une solution de pointe conçue pour répondre aux exigences exigeantes des appareils électroniques.
Ce MOSFET de qualité professionnelle est spécialement conçu pour commuter et amplifier les signaux électroniques, ce qui en fait un choix idéal pour une large gamme d'applications.Avec une tension nominale de 650 V et une capacité de gestion du courant de 20 A, ce MOSFET de puissance offre des performances et une fiabilité exceptionnelles.
Doté d'une faible résistance à l'état passant de 0,18 Ω, le LSB65R180GT assure un transfert de puissance efficace et minimise les pertes de puissance, ce qui améliore l'efficacité globale du système.Ce MOSFET est conçu pour résister à des conditions de tension et de courant élevées, ce qui le rend adapté aux appareils électroniques de haute puissance.
Avec sa conception avancée et sa construction robuste, ce MOSFET de puissance garantit des performances de commutation exceptionnelles, permettant un fonctionnement transparent dans divers circuits électroniques.Que vous ayez besoin de contrôler une commutation à grande vitesse ou d'amplifier des signaux électroniques, le LSB65R180GT est le choix parfait.
En plus de ses spécifications techniques impressionnantes, ce MOSFET est également conçu dans un souci de durabilité.Il est conçu pour durer, garantissant une fiabilité à long terme, même dans des environnements exigeants.
Faites confiance au MOSFET de puissance haute tension canal N 650 V, 20 A, 0,18 Ω LSB65R180GT pour offrir des performances, une fiabilité et une efficacité exceptionnelles pour tous vos besoins de commutation et d'amplification dans les appareils électroniques.Investissez dans cette solution de qualité professionnelle et élevez vos conceptions électroniques vers de nouveaux sommets.
Spécifications du produit:
