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LSD65R180GT
Nom du produit :
MOSFET de puissance Lonten haute tension canal N 650 V, 20 A, 0,18 Ω LonFETTM LSD65R180GT
Description du produit:
Description:
LonFETTM Power MOSFET est fabriqué
utilisant la technologie avancée de super jonction.
Le dispositif résultant a un niveau d'énergie extrêmement faible
résistance, ce qui le rend particulièrement adapté à
applications nécessitant une puissance supérieure
densité et efficacité exceptionnelle
Caractéristiques:
RDS ultra faible (activé)
Charge de grille ultra faible (typ. Qg = 39nC)
100 % testé par l'ISU
Conforme RoHS
Applications:
Correction de faction de puissance (PFC).
Alimentations à découpage
(SMPS).
Alimentation sans interruption (UPS).
Détails du produit:
VDS Tj,max : 700 V
RDS (activé), maximum : 0,18 Ω
IDM : 60 A
Qg, type : 39nC
Présentation du MOSFET de puissance Lonten haute tension canal N 650 V, 20 A, 0,18 Ω LonFETTM LSD65R180GT.Ce MOSFET de puissance de pointe est conçu pour optimiser les performances et améliorer l'efficacité dans diverses applications.
Avec une tension nominale de 650 V, ce MOSFET à canal N garantit un fonctionnement fiable même dans des environnements à haute tension.Sa capacité impressionnante de courant de 20 A permet une gestion de puissance robuste, ce qui le rend adapté aux applications de puissance exigeantes.
L'une des principales caractéristiques de ce Power MOSFET est sa faible résistance à l'état passant de 0,18 Ω.Cet attribut minimise les pertes de puissance, ce qui améliore l'efficacité globale du système.En réduisant le gaspillage d'énergie, ce MOSFET contribue à maximiser l'utilisation de l'énergie électrique, conduisant finalement à des économies de coûts et à des avantages environnementaux.
LonFETTM Power MOSFET est fabriqué à l'aide d'une technologie avancée de super jonction.
Le dispositif obtenu présente une résistance extrêmement faible, ce qui le rend particulièrement adapté aux applications nécessitant une densité de puissance supérieure et une efficacité exceptionnelle.
La technologie Coolmos Superjunction utilisée dans ce MOSFET améliore encore ses performances.Cette technologie avancée permet une commutation efficace et réduit les pertes de conduction, ce qui se traduit par une efficacité plus élevée et une fiabilité améliorée du système.
En résumé, le Le MOSFET de puissance Lonten haute tension canal N 650 V, 20 A, 0,18 Ω LonFETTM LSD65R180GT est un composant de puissance de qualité professionnelle qui offre des pertes réduites et une efficacité accrue.Sa tension nominale impressionnante, sa capacité de courant et sa faible résistance à l'état passant en font un choix fiable pour diverses applications d'alimentation.
Spécifications du produit:
Nom du produit :
MOSFET de puissance Lonten haute tension canal N 650 V, 20 A, 0,18 Ω LonFETTM LSD65R180GT
Description du produit:
Description:
LonFETTM Power MOSFET est fabriqué
utilisant la technologie avancée de super jonction.
Le dispositif résultant a un niveau d'énergie extrêmement faible
résistance, ce qui le rend particulièrement adapté à
applications nécessitant une puissance supérieure
densité et efficacité exceptionnelle
Caractéristiques:
RDS ultra faible (activé)
Charge de grille ultra faible (typ. Qg = 39nC)
100 % testé par l'ISU
Conforme RoHS
Applications:
Correction de faction de puissance (PFC).
Alimentations à découpage
(SMPS).
Alimentation sans interruption (UPS).
Détails du produit:
VDS Tj,max : 700 V
RDS (activé), maximum : 0,18 Ω
IDM : 60 A
Qg, type : 39nC
Présentation du MOSFET de puissance Lonten haute tension canal N 650 V, 20 A, 0,18 Ω LonFETTM LSD65R180GT.Ce MOSFET de puissance de pointe est conçu pour optimiser les performances et améliorer l'efficacité dans diverses applications.
Avec une tension nominale de 650 V, ce MOSFET à canal N garantit un fonctionnement fiable même dans des environnements à haute tension.Sa capacité impressionnante de courant de 20 A permet une gestion de puissance robuste, ce qui le rend adapté aux applications de puissance exigeantes.
L'une des principales caractéristiques de ce Power MOSFET est sa faible résistance à l'état passant de 0,18 Ω.Cet attribut minimise les pertes de puissance, ce qui améliore l'efficacité globale du système.En réduisant le gaspillage d'énergie, ce MOSFET contribue à maximiser l'utilisation de l'énergie électrique, conduisant finalement à des économies de coûts et à des avantages environnementaux.
LonFETTM Power MOSFET est fabriqué à l'aide d'une technologie avancée de super jonction.
Le dispositif obtenu présente une résistance extrêmement faible, ce qui le rend particulièrement adapté aux applications nécessitant une densité de puissance supérieure et une efficacité exceptionnelle.
La technologie Coolmos Superjunction utilisée dans ce MOSFET améliore encore ses performances.Cette technologie avancée permet une commutation efficace et réduit les pertes de conduction, ce qui se traduit par une efficacité plus élevée et une fiabilité améliorée du système.
En résumé, le Le MOSFET de puissance Lonten haute tension canal N 650 V, 20 A, 0,18 Ω LonFETTM LSD65R180GT est un composant de puissance de qualité professionnelle qui offre des pertes réduites et une efficacité accrue.Sa tension nominale impressionnante, sa capacité de courant et sa faible résistance à l'état passant en font un choix fiable pour diverses applications d'alimentation.
Spécifications du produit:
