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LSB65R099GF
Nom du produit :
MOSFET de puissance haute tension canal N 650 V, 40 A, 0,099 Ω LSB65R099GF
Description du produit:
Description:
LonFETTM Power MOSFET est fabriqué en utilisant
technologie avancée de super jonction.La résultante
L'appareil a une résistance extrêmement faible, ce qui le rend
particulièrement adapté aux applications qui nécessitent
densité de puissance supérieure et efficacité exceptionnelle.
Caractéristiques:
RDS ultra faible (activé)
Charge de grille ultra faible (typ. Qg = 66nC)
100 % testé par l'ISU
Conforme RoHS
Applications:
Correction de faction de puissance (PFC).
Alimentations à découpage (SMPS).
Alimentation sans coupure (UPS).
Détails du produit:
VDS Tj,max: 700V
RDS (activé), maximum : 0,099 Ω
IDM: 120A
Qg, type : 66 nC
Présentation du MOSFET de puissance haute tension canal N 650 V, 40 A, 0,099 Ω LSB65R099GF, un composant électronique de pointe conçu pour révolutionner le monde des appareils électroniques.Avec ses capacités de commutation et d'amplification exceptionnelles, ce produit est conçu pour améliorer les performances et l'efficacité de vos appareils électroniques.
Construit avec la plus grande précision et utilisant une technologie de pointe, notre Le MOSFET de puissance haute tension canal N 650 V, 40 A, 0,099 Ω LSB65R099GF est spécialement conçu pour gérer facilement les applications haute tension.Que vous ayez besoin d'une commutation efficace ou d'une amplification de signaux électroniques, ce puissant MOSFET est la solution parfaite.
Doté d'une tension nominale remarquable de 650 V, ce MOSFET garantit des performances fiables même dans les applications exigeantes.Avec un courant nominal de 40 A, il peut gérer sans effort des niveaux élevés de flux de courant, ce qui le rend idéal pour les appareils électroniques gourmands en énergie.
L'une des caractéristiques remarquables de notre MOSFET de puissance LonFETTM est sa faible résistance à l'état passant de 0,099 Ω.Cette faible résistance garantit une perte de puissance minimale et permet une gestion efficace de l'énergie, ce qui se traduit par des performances globales améliorées et des économies d'énergie.
Fabriqué avec professionnalisme et précision, ce MOSFET garantit une qualité et une durabilité exceptionnelles.Il est méticuleusement conçu pour résister à des conditions de fonctionnement rigoureuses, garantissant ainsi des performances et une fiabilité durables.
Que vous conceviez des alimentations électriques, des systèmes de commande de moteur ou tout autre appareil électronique, notre Le MOSFET de puissance haute tension canal N 650 V, 40 A, 0,099 Ω LSB65R099GF est le choix parfait.Bénéficiez de capacités de commutation et d'amplification améliorées, permettant à vos appareils de fonctionner à leur plein potentiel.
Investissez dans l'avenir des appareils électroniques avec notre MOSFET de puissance haute tension canal N 650 V, 40 A, 0,099 Ω LSB65R099GF.Faites confiance à ses performances de qualité professionnelle et libérez la véritable puissance de vos conceptions électroniques.
Spécifications du produit:
Nom du produit :
MOSFET de puissance haute tension canal N 650 V, 40 A, 0,099 Ω LSB65R099GF
Description du produit:
Description:
LonFETTM Power MOSFET est fabriqué en utilisant
technologie avancée de super jonction.La résultante
L'appareil a une résistance extrêmement faible, ce qui le rend
particulièrement adapté aux applications qui nécessitent
densité de puissance supérieure et efficacité exceptionnelle.
Caractéristiques:
RDS ultra faible (activé)
Charge de grille ultra faible (typ. Qg = 66nC)
100 % testé par l'ISU
Conforme RoHS
Applications:
Correction de faction de puissance (PFC).
Alimentations à découpage (SMPS).
Alimentation sans coupure (UPS).
Détails du produit:
VDS Tj,max: 700V
RDS (activé), maximum : 0,099 Ω
IDM: 120A
Qg, type : 66 nC
Présentation du MOSFET de puissance haute tension canal N 650 V, 40 A, 0,099 Ω LSB65R099GF, un composant électronique de pointe conçu pour révolutionner le monde des appareils électroniques.Avec ses capacités de commutation et d'amplification exceptionnelles, ce produit est conçu pour améliorer les performances et l'efficacité de vos appareils électroniques.
Construit avec la plus grande précision et utilisant une technologie de pointe, notre Le MOSFET de puissance haute tension canal N 650 V, 40 A, 0,099 Ω LSB65R099GF est spécialement conçu pour gérer facilement les applications haute tension.Que vous ayez besoin d'une commutation efficace ou d'une amplification de signaux électroniques, ce puissant MOSFET est la solution parfaite.
Doté d'une tension nominale remarquable de 650 V, ce MOSFET garantit des performances fiables même dans les applications exigeantes.Avec un courant nominal de 40 A, il peut gérer sans effort des niveaux élevés de flux de courant, ce qui le rend idéal pour les appareils électroniques gourmands en énergie.
L'une des caractéristiques remarquables de notre MOSFET de puissance LonFETTM est sa faible résistance à l'état passant de 0,099 Ω.Cette faible résistance garantit une perte de puissance minimale et permet une gestion efficace de l'énergie, ce qui se traduit par des performances globales améliorées et des économies d'énergie.
Fabriqué avec professionnalisme et précision, ce MOSFET garantit une qualité et une durabilité exceptionnelles.Il est méticuleusement conçu pour résister à des conditions de fonctionnement rigoureuses, garantissant ainsi des performances et une fiabilité durables.
Que vous conceviez des alimentations électriques, des systèmes de commande de moteur ou tout autre appareil électronique, notre Le MOSFET de puissance haute tension canal N 650 V, 40 A, 0,099 Ω LSB65R099GF est le choix parfait.Bénéficiez de capacités de commutation et d'amplification améliorées, permettant à vos appareils de fonctionner à leur plein potentiel.
Investissez dans l'avenir des appareils électroniques avec notre MOSFET de puissance haute tension canal N 650 V, 40 A, 0,099 Ω LSB65R099GF.Faites confiance à ses performances de qualité professionnelle et libérez la véritable puissance de vos conceptions électroniques.
Spécifications du produit:
