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ASR20N1200MD02PB
Merry
Module MOSFET SIC 1200V, 100A / 15V, 20mΩ, péage, ASR20N1200MD02PB
Silicon Carbide (SIC) MOSFET utilise une technologie complètement nouvelle qui offre des performances de commutation supérieures et une fiabilité plus élevée par rapport au silicium. De plus, la faible résistance et la taille compacte des puces assurent une faible capacité et une charge de porte. Par conséquent, les avantages du système comprennent une efficacité la plus élevée, une fréquence de fonctionnement plus rapide, une densité de puissance accrue, une EMI réduite et
une taille du système réduite.
Caractéristiques :
- Commutation à grande vitesse avec faibles capacités
- Tension de blocage élevée avec RDS faible (ON)
-
Package
optimisé
avec broche de source de
- pilote
séparée
-
Facile
à
paralle
Nom2
Nom1
Nom2
Nom1
Nom2
Nom1
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Module MOSFET SIC 1200V, 100A / 15V, 20mΩ, péage, ASR20N1200MD02PB
Silicon Carbide (SIC) MOSFET utilise une technologie complètement nouvelle qui offre des performances de commutation supérieures et une fiabilité plus élevée par rapport au silicium. De plus, la faible résistance et la taille compacte des puces assurent une faible capacité et une charge de porte. Par conséquent, les avantages du système comprennent une efficacité la plus élevée, une fréquence de fonctionnement plus rapide, une densité de puissance accrue, une EMI réduite et
une taille du système réduite.
Caractéristiques :
- Commutation à grande vitesse avec faibles capacités
- Tension de blocage élevée avec RDS faible (ON)
-
Package
optimisé
avec broche de source de
- pilote
séparée
-
Facile
à
paralle
Nom2
Nom1
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