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Tranchée IGBT 1 000 V/600 A-FS Gen1, L6, GD600MJS100L6S

1000V / 600A TRENCH-FS IGBT GEN1
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  • GD600MJS100L6S

  • Merry

1000V / 600A IGBT TRENCH-FS GEN1, L6, GD600MJS100L6S
Package
: L6
COURANT
COURANT
: 600A
Type de puce: Trench-FS Gen1 Tension nominale: 1000V Circuit

Caractéristiques  :
-  Faible V CE (SAT) TRANCH TECHNOLOGIE IGBT
- V CE (SAT) avec coefficient de température positive
- Température maximale de la jonction 175 O C
- Fast & Soft Reverse Recovery Anti-Paralal FWD
- Plate de base en cuivre isolée à l'aide de la technologie DBC
- PressFit Contact Technology

Typical Typical Applications  :
-  Énergie solaire
- application à 3 niveaux

GD600MJS100L6SStructure: 3-lete

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K7B-A5

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PROFIL DE L'ENTREPRISE-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
IGBT Trench-FS Gen1 1 000 V/600 A IGBT GD600MJS100L6S IGBT L6 I-NPC à 3 niveaux Diode de récupération rapide Redresseur

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