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Tranchée IGBT 1 000 V/800 A-FS Gen1, F6, GD800AYS100F6S

Tranchée IGBT 1 000 V/800 A-FS Gen1
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  • GD800AYS100F6S

  • Merry

1 000 V/800 A IGBT Trench-FS Gen1, F6, GD800AYS100F6S
Emballage : F6
Courant nominal : 800 A
Type de puce : Trench-FS Gen1
Tension nominale : 1 000 V
Structure du circuit : A-NPC à 3 niveaux
Poinçon : Substrats plats

Caractéristiques  :
-  Faible Ve (SAT) Tranch IGBT Technology
- V ce (SAT) avec coefficient de température positive
- Température maximale de la jonction 175 O C
- Fast & Soft Reverse Recovery Anti-Parallel FWD
- Plate de base en cuivre isolée Utilisation de la technologie DBC

Applications typiques  :
-  Énergie solaire -
Systèmes UPS
-  d'application à 3 niveaux

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Nom2


K7B-A5

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Nom2

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Profil de l'entreprise-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
IGBT Trench-FS Gen1 1 000 V/800 A IGBT GD800AYS100F6S IGBT F6 PNJ A à 3 niveaux Diode de récupération rapide Redresseur

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