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Tranchée IGBT 1 200 V/260 A-FS Gen1, P3, GD400FFX75P3S

IGBT Trench-FS Gen1, 1 200 V/260 A
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  • GD400FFX75P3S

  • Merry

1200 V/260 A IGBT Trench-FS Gen1, P3, GD400FFX75P3S
Emballage : P3
Courant nominal : 400 A
Type de puce : Trench-FS Gen1
Tension nominale : 750 V
Structure du circuit : Sixpack
Poinçon k : Substrats plats


Caractéristiques  :
-  Technologie IGBT à tranchée faible V CE(sat)
-  Capacité de court-circuit de 6 μs
- V CE(sat) avec coefficient de température positif
- Température de jonction maximale 175 o C
- Boîtier à faible inductance
- Récupération inverse rapide et douce FWD anti-parallèle
- Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications typiques  :
-  Application automobile
- Véhicule hybride et électrique
- Onduleur pour entraînement moteur

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PROFIL DE L'ENTREPRISE-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
IGBT Trench-FS Gen1 1 200 V/260 A IGBT GD400FFX75P3S IGBT P3 Pack de six Diode de récupération rapide Redresseur

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