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Tranchée IGBT 1 200 V/260 A-FS Gen1, P7, GD260HTX120P7H

IGBT Trench-FS Gen1, 1 200 V/260 A
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  • GD260HTX120P7H

  • Merry

1 200 V/260 A IGBT Trench-FS Gen1, P7, GD260HTX120P7H
Emballage : P7
Courant nominal : 260 A
Type de puce : Trench-FS Gen1
Tension nominale : 1 200 V
Structure du circuit : Sixpack
Poinçon : Nom


Caractéristiques  :
-  Technologie IGBT à tranchée Low V CE(sat)
-  Capacité de court-circuit de 6 μs
-  Faibles pertes de commutation
- V CE(sat) avec coefficient de température positif
- Température de jonction maximale 175 o C
- Récupération inverse rapide et douce FWD anti-parallèle
- Plaque de base à ailettes en cuivre isolée utilisant la technologie DBC
-  Boîtier à faible inductance

Applications typiques  :
-  Application automobile
- Véhicule hybride et électrique
- Onduleur pour entraînement moteur

GD260HTX120P7Hdes substrats PINFIN 1

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PROFIL DE L'ENTREPRISE-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
IGBT Trench-FS Gen1 1 200 V/260 A IGBT GD260HTX120P7H IGBT P7 Pack de six Diode de récupération rapide Redresseur

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