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Tranchée IGBT 1 200 V/900 A-FS Gen1, C2, GD900SGX120C2SA_B20

Tranchée IGBT 1 200 V/900 A-FS Gen1
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  • GD900SGX120C2SA_B20

  • Merry

1200 V/900 A IGBT Trench-FS Gen1, C2, GD900SGX120C2SA_B20
Emballage : C2
Courant nominal : 900 A
Type de puce : Trench-FS Gen1
Tension nominale : 1 700 V
Structure du circuit : Demi-pont
Poinçon : Substrats plats


Caractéristiques  :
-  Technologie IGBT à tranchée Low V CE(sat)
-  Capacité de court-circuit de 10 μs
- V CE(sat) avec coefficient de température positif
- Température de jonction maximale 175 o C
- Boîtier à faible inductance
- Récupération inverse rapide et douce FWD anti-parallèle
- Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie HPS DBC

Applications typiques  :
-  Onduleur pour entraînement de moteur
- Amplificateur de servo variateur AC et DC
- Alimentation sans interruption

GD900SGX120C2SA_B20Nom 1

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Nom2


K7B-A5

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Nom2

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PROFIL DE L'ENTREPRISE-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
IGBT Trench-FS Gen1 1 200 V/900 A GD900SGX120C2SA_B20 IGBT IGBT C2 Monophasé Diode de récupération rapide Redresseur

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