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Tranchée IGBT 1 700 V/650 A-FS Gen1, P1, GD650HFX170P1S_B28

Tranchée IGBT 1 700 V/650 A-FS Gen1, P1
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  • GD650HFX170P1S_B28

  • Merry

1 700 V/650 A IGBT Trench-FS Gen1, P1, GD650HFX170P1S_B28
Emballage : P1
Courant nominal : 650 A
Type de puce : Trench-FS Gen1
Tension nominale : 1 700 V
Structure du circuit : Demi-pont
Poinçon : Substrats plats


Caractéristiques  :
-  Technologie IGBT à tranchée Low V CE(sat)
-  Capacité de court-circuit de 10 μs
- V CE(sat) avec coefficient de température positif
- Température de jonction maximale 175 o C
- Diode agrandie pour un fonctionnement régénératif
- Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC
- Haute puissance et thermique capacité de cyclage

Applications typiques   :
-  Convertisseur haute puissance
- Énergie éolienne et solaire
- Entraînement de traction

GD650HFX170P1S_B28Nom 1

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PROFIL DE L'ENTREPRISE-01

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FAQ-01


sur: 
En vertu d'un: 
IGBT Trench-FS Gen1 1 700 V/650 A GD650HFX170P1S_B28 IGBT IGBT P1 Demi-pont Diode de récupération rapide Redresseur

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